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SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台
- 品牌：普赛斯仪表
- 型号： S100B
- 产地：湖北 武汉
- 供应商报价：￥1000
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武汉普赛斯仪表有限公司
更新时间：2025-05-14 08:58:35 -
销售范围售全国
入驻年限第6年
营业执照已审核
- 同类产品数字源表(246件)
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产品特点
- SMU数字源表搭建场效应晶体管IV特性测试实验平台认准普赛斯仪表，普赛斯教学实验平台采用一体化设计，集成了数字源表、LCR电桥、万用表、示波器等通用仪表；搭配丰富的测试夹具及实验教材，满足基础实验教学需求；测试设备简单易用，接线简单，方便学生动手操作；
详细介绍
本科生微电子器件及材料实验目的
通过实验动手操作，加深对半导体物理理论知识的理解，掌握半导体材料和不同器件性能的表征方法及基本实验技能，培养分析问题和解决问题的能力。本科生微电子器件及材料实验目录
实验一：金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性IV特性测试实验
实验二：四探针法测量半导体电阻率测试实验
实验三：MOS电容的CV特性测试实验
实验四：半导体霍尔效应测试实验实验
实验五：激光二极管LD的LIV特性测试实验
实验六：太阳能电池的特性表征实验本科生微电子器件及材料实验测试平台优势
满足本科生基础教学实验中微电子器件和材料测试需求
测试设备简单易用，专业权威，方便学生动手操作
核心设备测试精度高，满足新材料和新器件的指标要求
测试软件功能齐全，平台化设计，有专人维护支持，与专业测试软件使用相同架构
以基础平台为起点，可逐步升级，满足日益增加的实验室测试需求本科生微电子器件及材料实验测试平台基本功能
实验名称
测试参数
金属-氧化物-半导体场效应晶体管IV特性测试实验
l 输出特性曲线
l 转移特性曲线
l 跨导gm
l 击穿电压BVDS
四探针法测量半导体电阻率测试实验
l 四探针法电阻率ρ
l 材料阻值R
MOS电容的CV特性测试实验（低频 + 高频）
l CV特性曲线
半导体霍尔效应测试实验
l 霍尔电压VH
l 霍尔电阻率ρ
l 霍尔系数RH
l 载流子浓度n
l 霍尔迁移率u
激光二极管LD的LIV特性测试
l LIV特性曲线
l 阈值电流Ith
l 阈值电流对应电压值Vth
l 拐点Kink
l 线性电阻Rs
太阳能电池的特性表征
l 开路电压Voc
l 短路电流Isc
l 功率蕞大值Pmax
l 填充因子FF
l 转换效率η
l 串联电阻Rs
l 旁路电阻Rsh
本科生微电子器件及材料实验测试平台核心
测试平台的核心– 源测量单元（源表， SMU）
普赛斯国产源表五表合一四象限模式
四线/开尔文测试功能
小信号测试
满足先进器件和材料测试需求交流测试使用LCR表
探针台：4寸或6寸手动探针台
解决方案
沪公网安备 31011502008050号