热阻测试仪_陕西天士立ST-HeatX_平替进口。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，可输出结构函数，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组的_热阻抗_热特性_瞬态热阻_稳态热阻_Kcurve_Rth_Zth_热结构分析
关于天士立ST-HeatX热阻测试仪
天士立ST-HeatX热阻测试仪的产品特点
超高精度：温度(T;)分辨率0.01℃℃，1MHz变频采样:
技术领先：第三代瞬态热测试技术，可输出结构函数进行热结构分析
行业领先：具备4路高速高精度采集模块，采样速度，精度均达到行业D尖水平
架构领先：采用B/S架构控制系统、可远程对设备进行状态监控和控制，实现智能化;
瞬态监测：连续采集加热和冷却区的结温变化，同步采集温度监控点数据;
NPS技术：同步采集温度监控点(NTC/PTC)和结温数据，形成数据关系矩阵。
天士立ST-HeatX热阻测试仪的应用场景
器件结壳热阻测量天士立ST-HeatX热阻测试仪
散热结构分析天士立ST-HeatX热阻测试仪
Die-Attach热阻测量天士立ST-HeatX热阻测试仪
DBC/AMB基本热特性测量天士立ST-HeatX热阻测试仪
界面热阻测量与分析天士立ST-HeatX热阻测试仪
PCB板级散热结构分析天士立ST-HeatX热阻测试仪
散热器性能测量天士立ST-HeatX热阻测试仪
TIM材料热导率测试天士立ST-HeatX热阻测试仪
热缺陷检测天士立ST-HeatX热阻测试仪
天士立ST-HeatX热阻测试仪的“功能指标”
天士立ST-HeatX热阻测试仪的“温度系数标定”
天士立ST-HeatX热阻测试仪的“瞬态热测试”
四、数据处理与输出
4.1、“数据处理与输出”天士立ST-HeatX热阻测试仪
4.2、“热模型抽取”天士立ST-HeatX热阻测试仪
4.3、“脉冲热阻”天士立ST-HeatX热阻测试仪
4.4、“安全工作区”天士立ST-HeatX热阻测试仪
ST-HeatX迷你版（10A5V1C1P版本）
报价：￥985000
已咨询34次测试服务
报价：￥46000
已咨询25次纺织检测
报价：￥58000
已咨询72次pall膜完整性测试仪
报价：￥20000
已咨询280次导电和防静电材料体积电阻率测试仪
报价：￥58000
已咨询83次高频介电常数测试仪
报价：面议
已咨询1404次MF-FT2000柔性电子测试仪
报价：面议
已咨询783次压差法气体渗透仪
报价：面议
已咨询730次美国 inTEST 高低温测试机
天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。
陕西天士立科技有限公司/STD2000/IGBT参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类” 等品类的繁多的电子元器件
陕西天士立科技有限公司/STD2000/IGBT测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。测试种类覆盖 7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA,分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
STO1400 光耦测试仪，可测试各类光耦，如单通道、双通道、多通道的模拟光耦，数字光耦，高速光 耦，线性光耦等。测试参数包括“耐压 BVCEO/BVECO”、“输入正向压降 VF”、“输出端反向漏电流 ICEO”、 “反向漏电流 IR”、“电流传输比 CTR”、“输出导通压降 VCE(sat)”、“开关时间 toff/ton”等。
IV曲线追踪扫描仪脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率至1mV / 30pA，精度可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体参数测试仪能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件静态参数测试系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
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