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锑化铟(InSb)晶体基片

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详细介绍
产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片
产品简介:
技术参数:单晶InSb掺杂None;Te;Ge导电类型N;N;P载流子浓度cm-31-5x10141-2x1015位错密度cm-2<2x102
产品规格:标准尺寸:2"x0.5mm,表面粗糙度Ra:<15A注:可按客户需求定制特殊的方向和尺寸。
标准包装:1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装

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