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磷化铟(InP)晶体基片

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详细介绍

产品名称:

磷化铟(InP)晶体基片

产品简介


技术参数:

单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子浓度cm-3:1-2x1016、1-3x1018、1-4x1018、6-4x1018位错密度cm-2:<5x104生长方法:LEC温度:1072℃弹性模量:7.1E11dynCm-2

常规尺寸:

常规晶向:<100>;

常规尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;

抛光情况:单抛或双抛;

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客户需求定制相应的方向和尺寸。

备注:

1000级超净室100级超净袋

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