该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜等。

主要技术参数：

PC控制软件

RF发生器 0~3000W 脉冲模式

腔体防腐处理，400*400*1500mm,240L

腔体加热80℃

带观察窗

多路工艺气体通道，MFC控制 防腐处理

HMDSO单体通道

易燃易爆气体安全阀

Gas Shower气浴电极

设备外尺寸2000*600*1700mm

进口真空泵组

电压 3项400V