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仪器网>产品中心> 滨松光子学商贸(中国)有限公司>雪崩光电二极管(APD)>Si 雪崩光电二极管>滨松硅 APD S12426-05

滨松硅 APD S12426-05

面议 (具体成交价以合同协议为准)
日本滨松 S12426-05 亚洲 日本 2026-01-13 22:43:47
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为你推荐

产品特点:

Si 雪崩光电二极管在紫外以及近红外的低光检测中具有高速、高灵敏度的特点。

产品详情:

适用于900nm的高速硅APD,低偏置电压

S12426系列硅APD是为900nm波段提供峰值灵敏度波长而设计的,此波段光学测距仪被越来越多的使用。S12426系列比我们现在的S9251系列硅APD提供更快的响应以及更低的偏置操作。


产品特性

● 峰值灵敏度波长: 840 nm(增益=100)

● 低偏置操作: 击穿电压= 200V max。

● 高速响应:截止频率= 600mhz typ。(S12426-05,λ= 900 nm,M = 100)

详细参数

类型High-speed type (for 900 nm, Low bias operation)
感光面积φ0.5 mm
封装Metal
封装类型TO-18
峰值灵敏度波长(典型值)840 nm
光谱响应范围400 to 1100 nm
灵敏度(典型值)0.52 A/W
暗电流(最大值)2 nA
截止频率(典型值)600 MHz
结电容(典型值)1.1 pF
击穿电压(典型值)160 V
击穿电压温度系数(典型值)1.1 V/℃
增益(典型值)100
测试条件Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=900 nm, M=1

光谱响应

image.png

外形尺寸(单位:mm)

image.png


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