铟镓砷线阵图像传感器 G11620-512DA
铟镓砷线阵图像传感器 G10768-1024D
铟镓砷线阵图像传感器 G10768-1024DB
铟镓砷线阵图像传感器 G11135-512DE
铟镓砷线阵图像传感器 G9494-256D
单视频线(512像素)近红外图像传感器(1.12至1.9μm)
G14006-512DE InGaAs线性图像传感器专为异物检测设备而设计。 线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片组成,其包含电荷放大器阵列,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器。 InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片通过铟凸块导电连接。 电荷放大器阵列由连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素的CMOS晶体管组成。 在电荷积分模式下读出来自每个像素的信号,以在近红外光谱范围内实现高灵敏度和稳定操作。 CMOS芯片上的信号处理电路提供两级转换效率(CE)以供选择,根据应用要求可通过调整外部电压进行选择。
产品特性
● 单视频线(512像素)
● 高速数据速率:zuida5 MHz
● 两个转换效率级别可供选择
● 像素大小:25×25μm
● 内置温度传感器
● 像素之间线性度的变化很微小
● 室温操作
| 图像尺寸 | 12.8 x 0.025 mm |
| 像素尺寸 | 25 x 25 μm |
| 像素间距 | 25 μm |
| 总像素个数 | 512 pixels |
| 封装 | Ceramic |
| 帧频 (最大值) | 8150 lines/s |
| 制冷方式 | Non-cooled |
| 光谱响应范围 | 1120 to 1900 nm |
| 暗电流(典型) | ±10 pA |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |


Infrared detectors / Selection guide [2.99 MB/PDF]
InGaAs photodiode / Selection guide [3.35 MB/PDF]
Opto-semiconductors / Safety consideration [34 KB/PDF]
Image sensors / Selection guide [2.64 MB/PDF]
Image sensors / Precautions [621 KB/PDF]
单视频线(512像素)近红外图像传感器(1.12至1.9μm)
G14006-512DE InGaAs线性图像传感器专为异物检测设备而设计。 线性图像传感器由InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片组成,其包含电荷放大器阵列,偏移补偿电路,移位寄存器和定时发生器。 InGaAs光电二极管阵列和CMOS芯片通过铟凸块导电连接。 电荷放大器阵列由连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素的CMOS晶体管组成。 在电荷积分模式下读出来自每个像素的信号,以在近红外光谱范围内实现高灵敏度和稳定操作。 CMOS芯片上的信号处理电路提供两级转换效率(CE)以供选择,根据应用要求可通过调整外部电压进行选择。
产品特性
● 单视频线(512像素)
● 高速数据速率:Zda5 MHz
● 两个转换效率级别可供选择
● 像素大小:25×25μm
● 内置温度传感器
● 像素之间线性度的变化很微小
● 室温操作
上传人:滨松光子学商贸(中国)有限公司
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X15213-03CR 是一款仅有反射相的空间光调制器 (SLM),基于硅上液晶 (LCOS) 技术,可通过 CMOS 芯片的寻址电压直接控制液晶 (LC) 分子,并且可以高精度、高速调制光束的波前。
X15213-03CL 是一款仅有反射相的空间光调制器 (SLM),基于硅基液晶 (LCOS) 技术,可通过 CMOS 芯片的寻址电压直接控制液晶 (LC) 分子,并且可以高精度、高速调制光束的波前。
LCOS 芯片中的失真(如 LC 的波前失真和非线性响应)可通过控制器进行高效校正。使用 X15213 系列可实现简便的 PC 控制、精确的线性相位调制特性。它们还可以提供高衍射效率和高光利用率。
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X15213 系列设备是一种反射型纯相位空间光调制器 (SLM),基于硅基液晶 (LCOS) 技术,其中液晶 (LC) 直接由电压进行准确控制,并且可以调制光束的波前。
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