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美国CTI 掺镁铌酸锂晶片
- 品牌:美国CTI
- 型号: MgO LN Wafers
- 产地:美国
- 供应商报价: 面议
- 上海昊量光电设备有限公司 更新时间:2024-04-17 15:27:18
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- 同类产品各类单晶(2件)
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- 详细介绍
产品介绍:
美国Crystal Technology公司提供掺MgO铌酸锂晶片(MgO:LN)。 由于没有光折变损伤,具有高纯度与高损伤阈值的掺氧化镁铌酸锂晶体能够承受的光强比一般的非掺杂纯铌酸锂晶体高几百倍。由于MgO的浓度对晶体的性能有很大的影响。因此,需要对MgO浓度进行严格的控制。
应用:电光调制器、太赫兹生成、倍频产生蓝/绿光
Orientation: Z-axis (all dimensions in mm)
Part # A B Thickness Ø -z/+z MgO mol% 97-03044-01 20.3 14.0 0.5 76.2 Polished/polished 5.0 99-00629-02 20.3 14.0 1.0 76.2 Polished/polished 5.0
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