供应商：山东桑泽仪器仪表有限公司

SZ-KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。配套测试架适合于测量硅芯电阻率。两探针法的测量精度一般优于四探针法。SZ-KDY-2型产品整套仪器有如下特点1、配有双数字表：一块数字表在测量显示电压的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更方便，测量更精确。数字电压表量程：0—199.99mV  灵敏度：10μV  输入阻抗：1000ΜΩ  基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度)2、可测电阻率范围：0.001—10000Ω·cm。3、测量电流由高度稳定（万分之几精度）的特制恒流源提供，不受气候条件的影响。电流量程分五档：10μA、100μA、1mA、10mA、100mA。调节范围从0.001~100mA4...

供应商：山东桑泽仪器仪表有限公司

SZ-KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量横截面面积均匀的圆型，方型或矩形单晶锭(如硅芯、检磷、硼棒、区熔锗锭等)的电阻率，测样长度与截面尺寸之比应不小于3：1。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，测量结果为横截面的平均电阻率，两探针法的测量精度一般优于四探针法。SZ-KDY-2型产品整套仪器有如下特点:1、配有双数字表：一块数字表在测量显示电压的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更方便，测量更精确。数字电压表量程：0—199.99mV  灵敏度：10μV  输入阻抗：...

供应商：北京海富达科技有限公司

产品（测硅芯）报价库号：M406120产品（测硅芯）报价产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。配套测试架适合于测量硅芯电阻率。两探针法的测量精度一般优于四探针法。整套仪器有如下特点产品(测硅芯） 型号:KDY-21、配有双数字表：一块数字表在测量显示电压的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更方便，测量更精确。数字电压表量程：0—199.99mV 灵敏度：10μV 输入阻抗：1000ΜΩ基本误差±(0.04-0.05%读数+0.01%满度)2、可测电阻率范围：0.001—10000Ω·cm。3、测量电流由高度稳定（万分之几精度）的特制恒流源提供，不受气候条件的影响。电流量程分五档：10μA、100μ...

供应商：北京中慧天诚科技有限公司

产品ρ：0.001～1000Ω•cm 型号：GDS/KDY-2（测锗）   货号：ZH416 产品简介       GDW3-KDY-2型产品是按照我国国家标准及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量模截面尺寸是可测量的，而且棒的长度大于横截面线度的有规则的长棒，例如横断面为圆形、正方形、长方形或梯形的单晶或多晶锭。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，因此两探针法的测量精度一般优于四探针法。特别是对多晶材料的测量，由于多晶...

供应商：北京中慧天诚科技有限公司

产品 ρ：0.05～50000Ω•cm 型号：GDS/KDY-2（测硅）   货号：ZH418 产品简介:        GDS/KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。配套测试架适合于测量硅芯电阻率。两探针法的测量精度一般优于四探针法。 整套仪器有如下特点 1、配有双数字表：一块数字表在测量显示电压的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更方便，测量更精确。 数字电压表量程：0—199...

供应商：北京同德创业科技有限公司

产品/二探针电阻率测试仪/两探针仪 （测锗） 型号：LZ-KDY-2LZ-KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量横截面面积均匀的圆型，方型或矩形单晶锭（如硅芯、检磷、硼棒、区熔锗锭等）的电阻率，测样长度与截面Z大尺寸之比应不小于3：1。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，测量结果为横截面的平均电阻率，两探针法的测量精度一般优于四探针法。整套仪器有如下特点1、配有双数字表：一块数字表在测量显示电压的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更方便，测量更精确。数字电压表量程：0—199...

供应商：北京中慧天诚科技公司

产品ρ：0.005～50000Ω•cm 型号：GDS/KDY-2(磷 硼棒)货号：ZH419产品简介:        GDS/KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量横截面面积均匀的圆型，方型或矩形单晶锭(如硅芯、检磷、硼棒、区熔锗锭等)的电阻率，测样长度与截面Z大尺寸之比应不小于3：1。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，测量结果为横截面的平均电阻率，两探针法的测量精度一般优于四探针法。 整套仪器有如下特点 1、配有双...

供应商：北京恒奥德仪器仪表有限公司

产品/二探针电阻率测试仪/两探针仪 （测锗） 型号：KDK-KDY-2KDK-KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量横截面面积均匀的圆型，方型或矩形单晶锭（如硅芯、检磷、硼棒、区熔锗锭等）的电阻率，测样长度与截面Z大尺寸之比应不小于3：1。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，测量结果为横截面的平均电阻率，两探针法的测量精度一般优于四探针法。整套仪器有如下特点1、配有双数字表：一块数字表在测量显示电压的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更方便，测量更精确。数字电压表量程：0...

供应商：北京亚欧德鹏科技有限公司

【简单介绍】DP-KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法"设计。【详细说明】产品/二探针电阻率测试仪/两探针仪 （测锗） 型号DP-KDY-2DP-KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量横截面面积均匀的圆型，方型或矩形单晶锭（如硅芯、检磷、硼棒、区熔锗锭等）的电阻率，测样长度与截面Z大尺寸之比应不小于3：1。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，测量结果为横截面的平均电阻率，两探针法的测量精度...

供应商：北京恒奥德仪器仪表公司

1.产品/二探针电阻率测试仪/两探针仪 （测锗） 型号：KDK-KDY-2KDK-KDY-2型产品（以下简称两探针仪）是按照我国国家标准GB/T1551-1995及美国材料与试验协会（ASTM）推荐的材料验收检测方法“两探针法”设计。它适合于测量横截面面积均匀的圆型，方型或矩形单晶锭（如硅芯、检磷、硼棒、区熔锗锭等）的电阻率，测样长度与截面Z大尺寸之比应不小于3：1。由于两探针法的测量电流是从长棒两端进出，远离电压测量探针，因此电流流过金属与半导体接触处产生的许多副效应（如珀尔帖效应、塞贝克效应、少子注入效应等），对测量的影响较小，测量结果为横截面的平均电阻率，两探针法的测量精度一般优于四探针法。整套仪器有如下特点1、配有双数字表：一块数字表在测量显示电压的同时，另一块数字表（以万分之几的精度）适时监测全过程中的电流变化，使操作更方便，测量更精确。数字电压表量程...