非饱和高压加速试验箱 5G 集成芯片性能稳定测试

对选取的 5G 集成芯片进行初始性能测试，包括但不限于信号传输速度、功耗、工作频率等参数的测量，并记录结果。

将非饱和高压加速试验箱的环境参数按照上述设定进行调整。

将经过初始测试的 5G 集成芯片放入试验箱内的固定支架上，确保芯片之间有足够的空间，避免相互影响。

启动试验箱，使芯片在设定的高压、高温和高湿环境中持续运行 [具体时长]。

在实验过程中，每隔 [具体时间间隔]，取出部分芯片进行性能测试，记录测试数据。

达到设定的实验时长后，取出所有芯片，待其恢复至常温常压状态。

对所有芯片再次进行与初始测试相同的性能测试，包括信号传输速度、功耗、工作频率等参数的测量，并记录结果。