费米耦合常数 - 产品信息 - 相关知识

2025-01-21 09:30:22费米耦合常数: 费米耦合常数是粒子物理学中的重要物理常数，描述费米子与希格斯场的相互作用强度。它对于理解粒子如何获得质量及宇宙基本结构至关重要。费米耦合常数的值通过实验测量得到，与希格斯玻色子质量和其他粒子质量有关。在粒子物理学研究中，费米耦合常数是关键参数，有助于我们更好地理解宇宙的运作机制。

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高能所召开“希格斯玻色子衰变耦合系数的精确测量研究”总结会

中科院高能所召开了北京市科技计划“希格斯玻色子衰变耦合系数的精确测量研究”课题年度总结会。

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2020-01-14
超环面仪器希格斯玻色子费米耦合常数

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2022-02-08 14:54:53解析示波器通道耦合与触发耦合的区别: 相信大家对示波器有着一定的了解，都知道示波器中有两反设置，其实，在示波器当中也存在两种“两耦”设置，一种是通道耦合方式，另一种是触发耦合方式。在电子电路中，将前级电路(或信号源)的输出信号送至后级电路(或负载)称为耦合。耦合的作用就是把某一电路的能量输送（或转换）到其他的电路中去。先来说示波器通道的耦合方式，一般打开示波器的通道菜单，就可以看到示波器有三种通道耦合方式的设置，分别是直流耦合、交流耦合、地。我们给示波器输入一个频率为1KHz、幅值为100V、偏置为50V的正弦波信号（即该信号含有50V的直流分量）。直流耦合也叫DC耦合，当选择此选项时，信号通过导线直接到前端放大器，被测信号含有的直流分量和交流分量都能通过，可用于查看低至0Hz且没有较大DC偏移的波形。此时信号显示如图所示：交流耦合也叫AC耦合，当选择此选项时，信号通过电容耦合到前端放大器，被测信号的直流信号被阻隔，只允许交流分量通过，可用于查看具有较大直流偏移的波形。此时信号显示如图所示：可以看到信号从零点（左侧黄色五边形里面写了个1的就是零点）往下移动了，上图中零点在波形下方位置，此时零点处于波形中间位置，因为信号的直流分量被过滤掉了。示波器的垂直档位是20V/div，信号下移了2格半，差不多正好就是50V。当耦合方式为地时，代表内部输入接地，断开外部输入。此时信号显示如图所示：接地耦合的作用是在不方便外部断开，或者外部干扰很大的时候，帮助我们准确寻找零点。通道耦合，是用来控制信号到达示波器前端放大器的能量输送方式。触发耦合，就是用来控制信号到达示波器触发电路的能量输送方式。常见的触发耦合有直流、交流、高频Y制、低频抑制、噪声抑制。类似通道耦合，当选择直流耦合的时候，直流分量和交流分量都能通过触发。选择交流耦合的时候，示波器会滤除触发信号中的直流成分。高频抑制会抑制触发信号中高于50KHz的信号，低频抑制会抑制触发信号中低于50KHz的信号，而噪声抑制，是用低灵敏度的直流耦合来抑制触发信号中的高频噪声。我们来看下面这个信号：此信号选用交流耦合，当触发电平超出波形的时候，信号依然可以被扫描同步。因为此信号是一个2V的方波，其中带有1V的直流分量。因此当触发耦合方式为交流时，信号实际应该下移1V，因此当触发电平-500mV时依然可以被触发。再来看下下面这个信号：此信号选用低频抑制，虽然触发电平在信号范围内，但是由于触发信号中低于50KHz的信号被抑制，因此信号依然无法被扫描同步，出现信号不稳定的现象。通道耦合与触发耦合虽然都是耦合但有本质的区别，它们只是并行的两个通道信号的耦合，两个通道的信号不会相互影响的。如需了解更多，欢迎访问安泰测试网www.agitek.com.cn。

2023-07-05 10:58:55复合相变材料与液冷耦合的动力电池热管理系统的研究: HS-TGA-103热重分析仪主要由加热系统、称重系统、温度控制系统和数据处理系统组成。在测试过程中，样品被放置在加热系统内，通过温度控制系统进行升温。同时，称重系统监测样品的质量变化，并将数据传输至数据处理系统进行分析。通过测量样品质量随温度的变化，热重分析仪能够揭示材料的热稳定性和动力学行为等信息。复合相变材料与液冷耦合的动力电池热管理系统的研究【南昌大学刘自强】复合相变材料与液冷耦合的动力电池热管理系统的研究上海和晟 HS-TGA-103 热重分析仪

2023-08-04 11:22:00光纤微裂纹诊断仪（OLI）如何快速对硅光芯片耦合质量检测？: 硅光是以光子和电子为信息载体的硅基电子大规模集成技术，能够突破传统电子芯片的极限性能，是5G通信、大数据、人工智能、物联网等新型产业的基础支撑。光纤到硅基耦合是芯片设计十分重要的一环，耦合质量决定着集成硅光芯片上光信号和外部信号互联质量。耦合过程中最困难的地方在于两者光模式尺寸不匹配，硅光芯片中光模式约为几百纳米，而光纤中则为几个微米，几何尺寸上巨大差异造成模场的严重失配。准确测量耦合位置质量及硅光芯片内部链路情况，对硅光芯片设计和生产都变得十分有意义。光纤微裂纹诊断仪（OLI）对硅光芯片耦合质量和内部裂纹损伤检测，非常有优势，可精准探测到光链路中每个事件节点，具有灵敏度高、定位精准、稳定性高、简单易用等特点，是硅光芯片检测不二选择。OLI测试硅光芯片耦合连接处质量使用OLI测量硅光芯片耦合连接处质量，分别测试正常和异常样品，图1为硅光芯片耦合连接处实物图。图1硅光芯片耦合连接处实物图OLI测试结果如图2所示，图2（a）为耦合正常样品，图2（b）为耦合异常样品。从图中可以看出第一个峰值为光纤到硅基波导耦合处反射，第二个峰值为硅基波导到空气处反射，对比两幅图可以看出耦合正常的回损约为-61dB，耦合异常，耦合处回损较大，约为-42dB，可以通过耦合处回损值来判断耦合质量。（a）耦合正常样品（b）耦合异常样品图2 OLI测试耦合连接处结果OLI测试硅光芯片内部裂纹使用OLI测量硅光芯片内部情况，分别测试正常和内部有裂纹样品，图3为耦合硅光芯片实物图。图3.耦合硅光芯片实物图OLI测试结果如图4所示，图4（a）为正常样品，图中第一个峰值为光纤到波导耦合处反射，第二个峰值为连接处到硅光芯片反射，第三个峰为硅光芯片到空气反射；图4（b）为内部有裂纹样品，相较于正常样品再硅光芯片内部多出一个峰值，为内部裂纹表现出的反射。使用OLI能精准测试出硅光芯片内部裂纹反射和位置信息。（a）正常样品（b）内部有裂纹样品图4.OLI测试耦合硅光芯片结果因此，使用光纤微裂纹诊断仪（OLI）测试能快速评估出硅光芯片耦合质量，并精准定位硅光芯片内部裂纹位置及回损信息。OLI以亚毫米级别分辨率探测硅光芯片内部，可广泛用于光器件、光模块损伤检测以及产品批量出货合格判定。

2022-06-01 15:29:21OLI光纤微裂纹检测仪能有效检测FA耦合面测量: FA简称光纤阵列，是把光纤按照一定的间距排列固定起来形成的光器件，它是光进出光器件的通道。光纤阵列分为单芯光纤阵列（SFA）和多芯光纤阵列（MFA），光纤阵列有常规FA、45°光纤悬出FA、光纤转90°FA。45°FA利用端面全反射使光路90°转角与VCSEL或者PD耦合，这种方法耦合效率高，但苦于45°端面研磨工艺有较大难度，工艺制造成本高，生产良率不高。光纤转90°FA通常与硅光芯片中的光栅进行耦合，不过直接对准耦合，会存在一定的角度失配，尽管国内厂商经过这几年的努力与克服，已有不少厂家能够批量制造提高良率，但FA耦合面检测一直是通信行业所关注的热点话题。FA耦合一般都是在一些很小的尺寸里面，例如光器件、光模块、硅光芯片等等，这些器件级的检测对设备要求极高。而OLI光纤微裂纹检测仪是专门针对这种微小尺寸的检测利器，其空间分辨率高达10微米，能实现芯片内部结构可视化。OLI测量FA耦合面多芯FA耦合面测量，测试结果显示该耦合位置回损为-62dB，耦合情况良好由此可见，OLI光纤微裂纹检测仪能精准定位器件内部断点、微损伤点、耦合面以及链路连接点，以亚毫米级别分辨率探测光学原件内部，且广泛用于光器件、光模块损伤检测以及产品批量出货合格判定。如需了解更多产品详情，请随时联系

2020-07-15 10:49:24NTT——费米能级可控势垒（FMB）二极管: 费米能级可控势垒(FMB)二极管是一种基于InP/InGaAs异质结构的超低噪声THz探测器。FMB二极管用InGaAs/ InP异质界面(InP势垒~ 100mev)代替肖特基势垒二极管(SBD)中的金属/半导体界面。这种低的势垒高度可提供低的二极管差分电阻（Rd），并在二极管和宽带蝴蝶结型天线之间提供良好的阻抗匹配。产品特点• 超低噪声等效功率（NEP）• 高电压和电流灵敏度• 零偏置电压操作• 常温操作• 自互补蝴蝶结型天线• 集成准光学探测器具体参数外形尺寸FMB二极管核心概念H.Ito et. al., Jpn. J. Appl. Phys., 56(1), pp. 014101-1-014101-7, 2017异质势垒结构由n-InGaAs，未掺杂的InP和n-InP层组成。根据载流子密度，高掺杂n-InGaAs中的费米能级可以位于导带边缘以上（称为“带填充效应”）。基于该特征现象，可以将InP / InGaAs异质界面处的势垒高度（ϕBn）降低至100meV以下。由于通过如此小的势垒高度实现了低差分电阻，因此集成了宽带扇形90°蝴蝶结型天线的FMB二极管可产生约5.0 pW / sqrt（Hz）的良好噪声等效功率。平方律检波H.Ito et.al.,Jpn.J.Appl.Phys.,56(1),pp.014101-1-014101-7,2017IOD-FMB-18001模块非常适合应用于超低噪声的平方律检波。所获得的电压灵敏度在300 GHz时高达2MV/W，在1THz时高达0.2MV/W。上图显示了IOD-FMB-18001的输入功率和输出电压之间的关系。300GHz的动态范围超过100dB（105）。噪声等效功率（NEP）估计在300GHz时低至3.0pW/sqrt（Hz），在1THz时低至33pW/sqrt（Hz）。光外差探测H.Ito et. al., Electron. Lett., 54(18), pp.1080-1082, 2018外差检测方案是实现低噪声测量最有用的技术。IOD-FMB-19001专为外差检测而设计，是带有宽带跨阻放大器（TIA）的准光学FMB二极管模块。该模块在平方律检波模式下在300GHz时表现出约21kV/W的差分电压灵敏度，在外差检测模式下显示出约11GHz的IF带宽。上图显示了300GHz附近NEP与LO功率之间的关系。此处获得的ZDNEP约为1.1×10-18W/Hz，LO功率仅为6μW。

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