干涉显微无损测量 - 产品信息 - 相关知识

2025-01-21 09:30:33干涉显微无损测量: 干涉显微无损测量利用光的干涉原理，对物体表面形貌进行高精度、非接触式测量。它包括光源、干涉系统、显微系统和图像处理系统等，实现微小结构的三维形貌测量和分析。广泛应用于半导体制造、光学元件检测、生物医学研究等领域，提供高分辨率、高准确度测量结果，同时避免样品损伤。干涉显微无损测量对保障产品质量和推动科研发展具有重要意义。

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干涉显微无损测量、微纳米三坐标测量申报国家重点研发计划专项

上海计量院成功申报两个国家重点研发计划专项。

1926
2020-01-05
国家重点研发计划专项干涉显微无损测量微纳米三坐标测量
南京理工大召开“制造基础技术与关键部件”重点专项项目启动会

南京理工大学顺利召开国家重点研发计划 “制造基础技术与关键部件”重点专项“硅基 MEMS 高深宽比三维结构的干涉显微无损测量技术”项目启动会。

784
2020-08-08
干涉显微无损测量技术

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: 干涉测量实验装置; 国内天津; 面议; 天津市拓普仪器有限公司
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干涉显微无损测量问答

2025-01-07 19:30:15白光干涉测厚仪怎么测量: 白光干涉测厚仪怎么测量白光干涉测厚仪作为一种高精度的表面测量工具，广泛应用于材料科学、电子制造、光学检测等领域。其核心原理是利用干涉效应来测量薄膜或涂层的厚度。通过白光干涉技术，能够在不接触表面的情况下，精确测量不同厚度的薄膜层，尤其适用于高精度、微小尺寸的测量任务。本文将详细介绍白光干涉测厚仪的工作原理、测量步骤及其应用范围，帮助读者深入理解这一技术的优势与实际操作方法。白光干涉测厚仪的工作原理白光干涉测厚仪利用的是光的干涉现象。当白光照射到待测物体的表面时，光线会发生反射，部分光线从物体的上表面反射，部分光线从物体的底部反射。当这两束反射光重合时，因波长差异产生干涉。通过分析干涉条纹的变化，可以精确计算出物体表面与底层之间的厚度。其优点在于白光干涉测量可以在不接触物体的情况下进行，并且具有非常高的精度，适合微米级甚至纳米级的薄膜厚度测量。白光干涉测厚仪的测量步骤准备工作：确保白光干涉测厚仪的光源和探测器正常工作，并进行设备的校准，以确保测量结果的准确性。样品放置：将待测物体稳固地放置在仪器的测量平台上，确保样品表面平整，避免因表面不规则导致测量误差。光源照射：仪器发出宽谱的白光照射到样品表面。待测物体的上表面和底部表面会分别反射光线。干涉条纹分析：通过仪器内的探测器接收反射回来的光信号，并进行干涉条纹的分析。干涉条纹的变化与待测物体的厚度成正比。厚度计算：系统会根据干涉条纹的变化，通过计算分析，输出样品的厚度数据。此时，仪器已经完成了整个测量过程。白光干涉测厚仪的应用白光干涉测厚仪广泛应用于各个领域，特别是在半导体、光学薄膜、涂层和纳米技术领域。其优势在于能够提供非接触、高精度的测量，避免了传统接触式测量可能带来的表面损伤。由于其高分辨率，能够满足不同精度需求的测量任务，特别是在要求薄膜厚度非常精确的场合，如光学元件的制造、电子器件的测试等。专业总结白光干涉测厚仪凭借其无接触、高精度的特点，成为了测量薄膜厚度的理想工具。通过干涉效应，仪器能够提供精确的厚度数据，广泛应用于科研、工业制造等多个领域。其操作流程简便、测量精度高，尤其适合微米至纳米级别的薄膜测量需求，是现代科技领域中不可或缺的高精度测量设备。

2025-01-07 19:30:15白光干涉测厚仪哪家好: 白光干涉测厚仪哪家好？——选择优质测量设备的关键要素在工业生产和科研实验中，白光干涉测厚仪作为一种高精度的测量工具，广泛应用于薄膜厚度的检测与分析。随着科技的发展，市场上出现了多种品牌和型号的白光干涉测厚仪，如何选择一款性能稳定、精度高且性价比优良的设备，成为许多用户关注的。本文将从多个维度探讨如何评估白光干涉测厚仪的优劣，帮助您做出更明智的购买决策。 1. 白光干涉测厚仪的工作原理白光干涉测厚仪通过利用光的干涉现象，能够对薄膜的厚度进行非接触式、无损伤的高精度测量。其核心技术基于白光干涉原理，使用白光源照射样品表面，并通过反射光与参考光的干涉，解析出薄膜的厚度信息。与传统的机械测量方法相比，白光干涉测厚仪具有测量快速、精度高、不受表面形态限制等优势。 2. 选择白光干涉测厚仪的关键因素精度与稳定性选择白光干涉测厚仪时，精度是关键的考虑因素之一。不同厂家和型号的设备其测量精度可能差异较大，因此，必须根据自身的应用需求选择合适的精度等级。一般来说，的白光干涉测厚仪可以达到纳米级别的测量精度，适用于对厚度要求极为严格的科研或高端工业领域。稳定性也是衡量测量仪器质量的重要标准，稳定性高的设备可以提供长时间的一致测量结果，避免因设备波动影响数据的可靠性。测量范围与适用性白光干涉测厚仪的测量范围也是一个关键参数。根据所需检测的薄膜厚度范围，选择适合的测量设备。如果是薄膜厚度较大或者极薄的测量需求，需要选择能够覆盖广泛厚度范围的仪器。不同品牌的设备在测量材料的适用性上也有所区别，因此需要了解设备是否支持特定材料的测量，以避免因为材料不适配而产生测量误差。用户界面与操作简便性现代白光干涉测厚仪在设计时越来越注重用户体验。一个直观、易于操作的界面能够大大提高使用效率和测量精度。尤其是在快速生产线或实验室环境中，简便易懂的操作系统能够减少人为错误，提升测量效率。售后服务与技术支持优秀的售后服务和技术支持是选择白光干涉测厚仪时不容忽视的因素。设备的使用过程中，尤其是需要定期校准和维护时，品牌厂商是否能提供及时有效的技术支持显得尤为重要。一家具有强大技术支持体系和快速响应能力的公司，能够为设备的长期稳定运行提供保障。 3. 市场上知名的白光干涉测厚仪品牌在市场上，几家知名的白光干涉测厚仪品牌凭借其先进的技术和的性能，成为众多用户的首选。这些品牌在测量精度、设备稳定性和售后服务等方面表现优秀，例如德国的Zeiss、日本的Keyence、美国的Filmetrics等品牌，均提供了广泛的产品系列，能够满足不同领域用户的需求。 4. 总结：选择合适的白光干涉测厚仪需综合考量多因素选择一款合适的白光干涉测厚仪不仅仅依赖于品牌知名度，还需从精度、稳定性、测量范围、操作简便性和售后服务等多个角度进行全面考量。在选择时，用户应根据实际需求，结合技术参数和预算，做出科学、合理的决策。通过合理的设备选型，您能够确保测量结果的高精度与高稳定性，从而提高产品质量和生产效率，确保科研和工业应用的顺利进行。

2025-04-23 14:15:19电子探针显微分析方法有哪些？: 电子探针显微分析方法电子探针显微分析方法（Electron Probe Microanalysis, EPMA）是一种利用电子束与样品相互作用原理来进行元素分析和成分分析的技术。该技术广泛应用于材料科学、地质学、冶金学等领域，是研究微观结构、元素分布以及样品成分的关键工具。通过高精度的分析，电子探针显微分析方法能够提供极为详尽的样品元素信息，并为科学研究和工业应用提供可靠的数据支持。本文将介绍电子探针显微分析的基本原理、应用领域及其优势。电子探针显微分析的基本原理电子探针显微分析方法基于电子束与样品相互作用后产生的各种信号，如特征X射线、二次电子和背散射电子等。通过测量这些信号，能够获得样品的元素组成和空间分布信息。具体来说，电子探针显微分析通过聚焦电子束在样品表面激发特征X射线，这些X射线的能量与元素的原子结构相对应，因此可以通过对X射线进行能量分析来确定样品中各元素的种类和含量。在实际操作中，电子束的能量通常设置在10-30kV之间，能够深入样品的表面层并激发X射线。这些X射线的强度与样品中相应元素的浓度成正比，通过对X射线谱图的定量分析，研究人员可以精确地测定元素的分布和含量。电子探针显微分析的应用领域材料科学电子探针显微分析技术在材料科学中有着广泛应用。尤其是在金属合金、陶瓷、复合材料等的成分分析中，EPMA能够提供高空间分辨率和定量分析能力。通过对材料微观结构的研究，科学家们可以了解材料的性能、相变以及在不同条件下的行为，从而优化材料的设计和性能。地质学在地质学研究中，电子探针显微分析方法被广泛应用于矿物学和岩石学研究。通过分析矿物和岩石样品的元素组成，EPMA能够帮助地质学家解读地质过程、岩浆活动、矿产资源的成因以及沉积环境等信息，为资源勘探和环境保护提供有力支持。生命科学在生物医学领域，电子探针显微分析也有着重要的应用。通过对细胞和组织样本进行元素分析，研究人员可以探索生物体内微量元素的分布，帮助揭示生物体的代谢过程和疾病机制。例如，通过EPMA分析癌细胞与正常细胞中的元素差异，有助于癌症早期诊断和策略的优化。电子探针显微分析的优势与传统的分析方法相比，电子探针显微分析在空间分辨率和分析精度方面具有明显优势。EPMA具有极高的空间分辨率，能够对微米甚至纳米尺度的样品进行高精度分析，适用于复杂的微观结构研究。EPMA具备较强的元素分析能力，能够对多种元素进行定性和定量分析，尤其适合于分析复杂样品中的微量元素。EPMA分析无需对样品进行复杂的化学预处理，能够直接在固体样品表面进行分析，具有较高的分析效率。总结电子探针显微分析方法是一项高精度的材料分析技术，凭借其的空间分辨率和元素分析能力，在多个领域发挥着重要作用。从材料科学到生命科学，EPMA技术为研究者提供了深入理解样品成分和微观结构的强大工具。随着技术的不断进步，电子探针显微分析在科研和工业中的应用前景将更加广阔，并为推动科技创新和产业发展作出更大的贡献。

2021-07-20 17:14:48EDX9000A 无损测定无损测定 Ni-Mn-Co 催化: EDXRF 能量色散荧光光谱仪 EDX9000A 无损测定 Ni-Mn-Co 催化剂合金成分使用一系列已知Ni、Mn、Co含量的催化剂合金片标准样品，在能量色散X射线荧光光谱仪EDX9000A上直接测量Ni-Mn-Co的特征X射线强度，并比较含量Ni、Mn 和 Co 及其特征 X 射线强度拟合并建立工作曲线。测量未知样品时，利用测得的 Ni、Mn 和 Co 的特征 X 射线强度，通过工作曲线获得 Ni、Mn 和 Co 的含量。采用EDXRF法测定Ni-Mn-Co催化剂合金中Ni、Mn、Co的含量范围分别为65%~88%、10%~35%、1%~10%，测定Ni、Mn、Co（n=6）精度分别为0.3%、1%、4%

2023-06-26 14:52:50无损无接触定量评价！GaN晶体质量评估新思路——ODPL法！: 随着疫情三年的结束，大家又开始马不停蹄出差、旅游、返乡，生活的压力让人喘不过气。更别提出行的时候，还需要背一个很沉的电脑，以及与它适配的、同样很沉的、形状不规律的、看着就很糟心的电源适配器！有没有一种东西，能够让大家的出行变得更加轻松（物理上）？那必须是现在越来越流行的氮化镓（GaN）充电器了！一个氮化镓充电器几乎可以满足所有出行充电的需求，并且占地空间小，简直是出行神器！图1 氮化镓（GaN）充电器氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，一种直接能隙（direct bandgap）的半导体材料。GaN材料具有宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度等特点，其器件耐高温、耐高压、高频和低损耗，大大提升电力器件集成度，简化了电路设计和散热支持，具有重要的价值和广泛的应用，是现在最火热的第三代半导体材料，没有之一。GaN的应用不止在流行的充电器上，早在2014年日本科学家天野浩就凭借基于GaN材料的蓝光LED获得了诺贝尔奖。不过GaN就没有缺点了吗？或者说GaN没有改善的地方了吗？并不是， GaN技术的难点在于晶圆制备工艺。由于制备GaN的单晶材料无法从自然界中直接获取，所以GaN的主要制备方法是在蓝宝石、碳化硅、硅等异质衬底上进行外延。而现在由异质外延生长的GaN普遍存在大量缺陷的问题。缺陷的存在势必会影响到晶体的质量，从而影响到材料和器件的电学性能，最终影响到未来半导体科技的快速发展。因此，降低GaN晶体里面的缺陷量，提高晶体质量，是当前第三代半导体领域研究很重要的一个课题。GaN晶体质量/缺陷评估的方法GaN晶体里面的杂质、缺陷是非常错综复杂的，无法单纯通过某一项缺陷浓度或者杂质含量来定量描述GaN晶体是否是高质量，因此现在评价GaN晶体质量的手段比较有限。根据现有的报道，大致有以下几种：多光子激发光致发光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，简称MPPL）、蚀坑观察法（Etch pit method）以及二次离子质谱（Secondary-ion mass spectrometry，简称SIMS)。MPPL法多光子激发光致发光法采用长波长激发，远大于带边荧光波长。激发过程需要同时吸收二个或者多个光子。通过吸收多个脉冲光子，在导带和价带形成电子空穴对，随后非辐射驰豫到导带底和价带顶,最后产生带边发光和缺陷发光。通过滤波片获得带边和缺陷发光光谱和光强，改变入射光斑的位置，从而得到样品的荧光信号三维分布，即三维成像。多光子荧光三维成像技术可以识别和区分不同类型的位错，但是无法定量评估GaN的晶体质量，而且多光子激发的系统造价高。图2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted参考文献：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蚀坑观察法蚀坑观察法通过适当的侵蚀可以看到位错的表面露头，产生比较深的腐蚀坑，借助显微镜可以观察晶体中的位错多少及其分布。该方法只适合于位错密度低的晶体，如果位错密度高，蚀坑互相重叠，就很难将它们区分。并且该方法是对晶体有损伤的，做不到无损无接触。图3 蚀坑观察法SIMS技术SIMS是利用质谱法分辨一次离子入射到测试样品表面溅射生成的二次离子而得到材料表面元素含量及分布的一种方法。SIMS可以进行包括氢在内的全元素分析，并分辨出同位素、化合物组分和部分分子结构的信息。二次离子质谱仪具有ppm量级的灵敏度，最高甚至达到ppb的量级，还具有进行微区成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS对晶体有损伤，无法做到无损。图4 SIMS技术以上三种技术均是评估GaN晶体缺陷的方法，但是每一种都有其缺憾的地方，它们无法做到定量的去评价GaN晶体的质量，而且具有破坏性。为了更好地定量评估GaN晶体质量，滨松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授从2016年开始合作研发了一套基于积分球的全向光致发光系统（Omnidirectional Photoluminescence，以下简称ODPL），该系统是第一个无损无接触定量去评价GaN晶体质量的方法/系统。ODPL系统ODPL系统是首个无接触无损评价半导体材料晶体质量的方法，通过积分球法测量半导体材料、钙钛矿材料的内量子效率。该产品可以直接测量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高灵敏度以及高信噪比。图5 ODPL测量方法示意图传统光致发光的量子效率测量指的是晶体的PLQY，即光致发光量子效率，其定义为：PLQY = 样品发射的光子数/样品吸收的光子数图6 GaN样品在积分球下的发射光谱PLQY是表征晶体发光效率最常见的参数之一，对于绝大多数的发光材料，PLQY都是黄金标准。但是对于GaN晶体，PLQY的表征显得不足。上图可见，GaN的光致发射光谱呈双峰形状，这是由于GaN晶体中的缺陷等，会将GaN本身发射的PL再次吸收然后发射（光子回收Photon Recycling现象）。图7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因为存在Photon Recycling的现象，GaN的PLQY不足以表征其发光转化效率，而真正可以表征GaN晶体发光转化效率的定义是其真正的内量子效率：IQE = 样品产生的光子数/样品吸收的光子数图8 GaN样品的标准发射光谱IQE是GaN晶体的PLQY考虑LEE和光子回收现象以后的参数，更能直观、定量反映GaN晶体的质量。图9 高IQE和低IQE晶体的对比高IQE的GaN晶体通常表现为：高载流子浓度、低穿透位错密度、低杂质浓度、低点缺陷浓度、高激发功率密度。图10 不同穿透位错密度晶体的IQE结果对比免费样机预约ODPL现在ODPL样机开放免费预约试用活动，有意向的客户请在评论区留言“样机试用”小编看到之后会第一时间与您联系，样机数量有限，先到先得哟~图11 ODPL样机展示以上有关新品的信息已经全部介绍完毕了，如有任何疑问，欢迎在评论区留言哟。

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