碳化硅氮化镓器件测试 - 产品信息 - 相关知识

2025-01-10 10:53:39碳化硅氮化镓器件测试: 碳化硅氮化镓器件测试不属于我常规介绍的科学仪器范畴，它更偏向于半导体材料或电子工程领域。如果您想了解该测试的具体内容和方法，建议咨询相关的半导体材料或电子工程专家。另外，如果您有其他关于科学仪器的问题，我很乐意为您提供帮助。

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碳化硅氮化镓器件测试问答

2021-08-09 14:23:05泰克示波器在磁性器件损耗测试的应用: 如何评价磁性器件对电源稳定性和整体效率的影响？如何测试电感，磁损，BH曲线，磁性属性等指标是摆在工程师面前的难题。对于电源产品设计初期要自己来绕变压器来满足设计，测试其不确定性，避免出现饱和炸管的情况，专用的测试设备非常昂贵，泰克为大家提供了一种新的评测方法，今天安泰测试为大家介绍一下泰克示波器在磁性器件损耗测试的应用方案：【测试原理】在开关式电源(SMPS) 中，磁性器件即电感器和变压器发挥着重要作用。电感器作为能量贮存设备或滤波器使用。变压器用来转换电压，提供隔离功能。变压器还在保持SMPS 系统振荡中发挥着重要作用。大部分SMPS设计工艺依赖元器件规范和仿真模型。但是，由于实际信号条件、寄生信号、温度及影响磁性器件性能的其他环境因素，电源的性能可能不会与产品技术资料和仿真预测的水平一模一样。因此，在工作条件下在线测量电感器和变压器可以提供重要信息。【测试平台搭建】电路示意图指定电压通道和电流通道，设置电感和i相对于∫v 关系测量。【测试说明】5-PWR 磁属性测量给出了设计中的磁性器件的磁滞图，检查磁性器件是否饱和，因为其会导致电源不稳定。【方案配置】推荐解决方案：泰克示波器MSO54+5-PWR+THDP0200+TCP0030A特点：5-PWR 磁损耗测量给出了总磁损耗，包括磁芯损耗和铜缆损耗。设计人员可以从器件制造商的产品技术资料中找到磁芯损耗，再从总磁损耗中减去磁芯损耗，得到铜缆损耗。泰克示波器基于其硬件12bit ADC 高精度测量，全新优化的磁损耗算法，提供全套方案，高达8通道支持多种变压器类型，如需了解泰克示波器更多测试方案，欢迎关注西安安泰测试设备有限公司（简称Agitek）。

2022-04-24 16:35:20高纯超细碳氮化钛粉体（TiCN）: 碳氮化钛，分子式是：Ti（C，N）。TiC和TiN是构成Ti（C，N）的基础，它们均具有面心立方点阵的NaCl型结构。这种晶体结构使TiN和TiC形成连续固溶体。Ti（C，N）基金属陶瓷的主要成分是Ti（C，N），通常以Co－Ni作为黏结剂，以其它碳化物为添加剂，如WC、Mo2C、(Ta,Nb)C、Cr3C2、VC、AlN等。Ti（C，N）基金属陶瓷的物理性能和机械性能可以在一定范围内调整。由于加入了各种碳化物添加剂，并以Co-Ni为黏结剂，从而大大的改善了金属陶瓷的综合性能。加入一定量高熔点的TaC、NbC可改善合金的抗塑性变形能力，VC可提高合金的抗剪强度，改善合金的机械性能。MoC可提高Co-Ni黏结剂的强度，并在碳化物、氮化物和黏结剂间起连接作用。在相同的切削条件下，Ti（C，N）基金属陶瓷刀具的耐磨性远远高于WC基及涂层金属陶瓷。在高速下，Ti（C，N）基金属陶瓷比YT14、Y公众号搜索粉体圈，联系报价。联系方式：400-869-9320转3180更多信息进入店铺查看：https://www.360powder.com/shop.html?shop_id=1596

2023-02-01 14:56:12蔡司激光共聚焦显微镜-微纳器件的表征分析: 对微纳器件进行表征时，常关注的便是器件的表面形貌和三维尺寸信息，比如粗糙度、深度、体积等，这些都是评价微纳加工工艺的重要指标。然而，在进行表面三维的分析工作中，我们可能常遇到这样的苦恼：　　光学明场无法直接定位到亚微米级缺陷结构!　　样品结构太复杂，微弱信号无法捕获，难以准确测量尺度信息!　　三维接触式测量经常会损伤柔软样品，导致测试结果不准确!　　今天，友硕小编将从下面几个角度来看看蔡司激光共聚焦显微镜如何帮助你更好地解决这些问题。　　失效分析：多尺度多维度原位分析!　　器件表面往往存在一些特殊的结构或缺陷，比如亚微米尺度的划痕，这些特征难以在光学明场下被直接观察到。C-DIC(圆微分干涉)观察模式可以让样品表面亚微米尺度的微小起伏都可以呈现出浮雕效果，帮助我们快速定位并开展下一步的分析工作。　　▲ 不同观察方式下晶圆表面缺陷　　在定位到感兴趣区域后，可以直接切换到共聚焦模式，进行表面三维形貌扫描，并进行尺寸测量及分析，无需转移样品即可完成样品多尺度多维度的表征。　　▲共聚焦三维图像及深度测量　　对于某些样品，暗场和荧光模式也是一种很好定位方法，表面起伏的结构在暗场下尤其明显，如蓝宝石这类能发荧光的晶圆，利用荧光成像也能帮助我们快速地定位到失效结构。甚至，共聚焦还可以和电镜或者双束电镜(FIB)(点击查看)实现原位关联，在共聚焦显微镜下进行定位后转移样品到电镜下进行更高分辨的表征分析。　　深硅刻蚀：结构深，信号弱，蔡司激光共聚焦显微镜有办法!　　深硅刻蚀的样品通常为窄而深的沟壑结构。接触式测量(如台阶仪)无法接触到沟壑底部测得信息，而由于结构特殊造成了反射光信号损失，常规白光干涉或者显微明场无法捕获底面的微弱信号。因此，不得不对样品进行裂片分析，这不仅破坏了样品，而且还使分析流程复杂化。　　西湖大学张先锋老师用蔡司激光共聚焦显微镜对深163.905 μm，宽3.734μm的刻蚀坑进行成像，高灵敏探测器、大功率激光及Z Brightness Correction技术可以帮助成功检测到底部的微弱信号，完成大深宽比(近50：1)样品的三维形貌表征与测量，轻松实现无损检测分析。

2021-06-04 14:02:39吉时利源表三同轴测试两端器件接线方法: 吉时利源表广泛应用于高校和研发型企业，很多客户在使用吉时利源表时，在进行两端器件测试接线的时候，容易出现错误，今天安泰测试就给大家分享一下吉时利源表三同轴测试两端器件接线的方法，以吉时利源表2600B系列为例：首先介绍一下263X型源表背板上的三同轴接口构造。三同轴转成鳄鱼夹的话，三个夹子的颜色对应的是：红色是最内部的芯线。黑色的是中间的一圈，绿色是最外的一圈。对2636的通道上的三个三同轴接口来说，绿色的都是机箱地。所有的测试一定要从Hi进从Lo出才能形成测试回路。在进行两端器件测试接线的时候，一共有两种方式可以接，一种是需要用到2根三同轴转三鳄鱼夹的线，另一种只需用到一根三同轴线，但在仪器背板上需要做适当短接。方法1：两根线，两根线都要接红的。注意看仪器背板的指示。这样是用两根线，通道A中间的那根图示里芯线是Hi, 下面的指示芯线是Lo,所以我们要连这两根线。方法2：用一根线，要把中间的跳线用导线把三个口都短接，就把Lo短接到地了，这样，我们就可以接通道A上的中间的红与绿间接测试样品了。此常见问题适用于： Keithley 2000 系列：配有扫描功能的 6½位万用表，吉时利源表2600B 系列，如果大家在使用吉时利源表过程中有什么问题，欢迎访问安泰测试网。

2021-05-13 11:29:10吉时利源表助力半导体分立器件I-V特性测试: 近期有很多用户在网上咨询I-V特性测试， I-V特性测试是很多研发型企业和高校研究的对象，分立器件I-V特性测试可以帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。I-V特性测试难点：种类多微电子器件种类繁多，引脚数量和待测参数各不相同，此外，新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。尺寸小随着器件几何尺寸的减小，半导体器件特性测试对测试系统的要求越来越高。通常这些器件的接触电极尺寸只有微米量级，这些对低噪声源表，探针台和显微镜性能都提出了更高的要求。I-V特性测试方案：针对I-V 特性测试难点，安泰测试建议可采用keithley高精度源测量单元（SMU）为核心测试设备，配备使用简便灵活、功能丰富的 CycleStar 测试软件，及稳定的探针台。图：系统配置连接示意图测试功能：这是一个简单易用的I-V特性测试方案，无论对于双端口或三端口器件，如二极管、晶体管、场效应管都很适用。• 二极管特性的测量与分析• 双极型晶体管 BJT 特性的测量与分析• MOSFET 场效应晶体管特性的测量与分析• MOS器件的参数提取吉时利源表简介及热门型号推荐：吉时利源表将数字万用表 (DMM)、电源、实际电流源、电子负载和脉冲发生器的功能集成在一台仪器中。通过吉时利源表进行分立器件 I-V 特性测试时，支持同时操作两台吉时利源表，轻松完成三端口器件测试。此外，因为吉时利源表兼顾高精度和通用性，广泛适用于教育、科研、产业等众多行业。安泰测试作为泰克吉时利长期合作伙伴，为多家院校，研究所提供了I-V特性测试方案，并提供了吉时利源表现场演示，如果您也有相关应用，欢迎关注安泰测试网。

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