高氧分析仪 - 产品信息 - 相关知识

2025-05-12 21:56:41高氧分析仪: 高氧分析仪是一种专门用于测量高浓度氧气含量的精密仪器。它能够在氧气含量较高的环境中，快速、准确地检测出氧气的具体浓度，并将数据实时显示出来。该仪器通常采用先进的传感器技术和信号处理算法，具有高灵敏度、高分辨率和强稳定性等特点。高氧分析仪广泛应用于医疗、工业、环保等领域，特别是在需要高浓度氧气供应的场合，如高压氧舱、氧气生产厂等，是确保氧气浓度安全、稳定的关键设备。

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高氧分析仪问答

2024-06-12 13:58:26顺磁式氧分析仪的介绍: 顺磁式氧分析仪大体可以分为三类:内对流热磁式、外对流热磁式以及磁力机械式；他们的原理都是利用氧气具有极高的顺磁性而制作，只不过在结构有所不同。内对流热磁式原理：检测器是一个中间有通道的环形气室，外面均匀的绕有电阻丝，同时相邻的桥臂电阻r1、r2与固定电阻R1、R2组成测量电桥，电阻丝通过电流后，起到加热和测量温度变化的作用，在通道的左端设置一对小磁极，形成一个磁场，当下端通入北侧气体时，沿两侧向上端出口，如果被测没有顺磁性气体，中间通道没有气体流过也没有热量损失，若被测气体有氧气时，左侧的氧会受磁场吸引进入中间通道随着右侧向上流出，r1被带走了热量，阻值发生变化，测量信号发生了改变，测量输出信号大小就反应了氧含量的多少。外对流热磁式原理：检测器是由测量气室和参比气室两部分组成，结构完全相同，测量气室下有一对磁极，形成一个磁场，气室下部装有既用来加热又用来测量的热敏元件，当被测气体进入主气道后，主气道的氧分子会被磁极吸引，氧分子靠近磁极的同时，会吸收加热元件的热量而温度升高，导致体积磁化率下降，受磁场吸引力降低，较冷的氧分子会把温度升高的氧分子挤出气室，从而产生自然对流和热磁对流，而参比气室只有自然对流，两个热敏元件温度出现差别，阻值也不在相等，阻值相差多少取决于被测气体中的氧含量磁力机械式氧分析器：在一个密闭气室中，有两对不均匀磁场的磁极，他们的磁场强度梯度正好相反，两个空心球体置于两队磁极间隙中，空心球用连杆连接在一起，连杆用金属带固定在气室壳体上，在杆体与金属带交点处装一个平面反射镜，当被测样气中含有氧，氧分子受磁场吸引，沿磁场强度梯度方向形成氧分压差，该压力差驱动空心球移出磁场中心位置，会偏转一个角度，反射出来的光束也随之偏移，此时两个光电元件接收的光能量出现差值，光电组件有毫伏电压信号输出。氧含量越高，输出值越大。感兴趣的可以联系我v：sincen0401

2024-08-12 17:16:57HALT高加速极限寿命试验测试步骤是怎样的？: 高加速寿命试验（Highly Accelerated Life Testing，简称HALT）的测试步骤涉及多个环节，旨在通过逐步增加应力来揭示产品的潜在缺陷和设计不足。以下是其具体的测试步骤介绍：准备工作：准备阶段包括形成试验团队、安装受试产品、进行必要的电连接和监测设备连接。团队成员应涵盖研发设计、制造工艺和质控等专业技术人员。受试产品需要安装在HALT试验箱中，并进行功能测试以确保其正常工作。

2023-03-27 23:49:14低场磁共振和高场磁共振有什么区别: 低场磁共振和高场磁共振有什么区别磁共振分析应用方面：低场核磁主要用于测试分子与分子之间的动力学信息，过弛豫时间得到分子运动信息，分子与分子之间的作用信息；研究领域属亚微观领域（分子之间），可测定玻璃态转化温度、高分子材料交联密度、造影剂弛豫率、孔径分布及孔隙度等，广泛应用于食品工业、石油工业、医药工业、纺织工业、聚合物工业。低场核磁使用永磁体，设备小型化，灵活易于移动，也不需要特别维护，易与其他设备或配件整合，满足在线高通量测试要求。低场核磁共振仪器费用低，仪器内部已做屏蔽，安装场地不需特殊处理。高场核磁具有高灵敏度、高分辨率、高信噪比，但是对样品均匀度要求高，液体需要去离子化，固体需要是粉末状，而且仪器费用昂贵，安装需要专用场地，需要屏蔽设施，仪器需要液氮或液氦冷却，后续维护成本非常高；磁共振成像应用方面：低场磁共振一般指磁场强度小于0.5T的成像系统。由于磁场强度较小，低场磁共振成像仪器的价格始终，应用也非常广泛，可用于各类疾病模型的成像研究，如肿瘤、脊柱疾病、关节炎、肌肉创伤等。相比于高场磁共振，低场磁共振成本较低，设备易于维护，适用于各大行业。高场磁共振一般指磁场强度大于1.5T的成像系统。由于磁场强度较高，高场磁共振成像信噪比高，可以提供更广泛和更详细的解剖学和生理学信息。高场磁共振成像适用于诊断各种疾病，如神经系统疾病、心血管疾病、肿瘤等，并且在医学领域广泛应用。然而，高场磁共振成本较高，设备维护和管理的难度也相对较高。

2023-06-14 15:01:54【新品】第三代红外探测器：高动态范围二类超晶格T2SL

2023-08-18 11:29:42用户前沿丨杨培东 Nature-钙钛矿高熵半导体: 尽管高熵材料 high-entropy materials是一系列功能材料的极佳候选者，但其形成通常需要超过1,000°C高温合成程序，以及复杂加工技术，如热轧。解决高熵材料极端合成要求的途径之一，应该包括设计具有离子键网络和低内聚能的晶体结构。今日，美国加利福尼亚大学伯克利分校 (University of California, Berkeley) Maria C. Folgueras, Yuxin Jiang，Jianbo Jin & 杨培东Peidong Yang，在Nature上发文，报道开发了一种新型金属卤化物钙钛矿高熵半导体high-entropy semiconductor，HES单晶的室温溶液20°C和低温溶液80°C合成方法因为金属卤化物钙钛矿的软离子晶格性质，这些高熵半导体HES单晶设计在立方Cs2MCl6（M=Zr4+, Sn4+, Te4+, Hf4+, Re4+, Os4+, Ir4+ 或 Pt4+）空位有序的双钙钛矿结构上，该双钙钛矿结构来自稳定络合物在多元素墨水中的自组装，即在强盐酸中充分混合的游离Cs+ 阳离子和五或六个不同[MCl6]2–阴离子八面体分子。所得到的单相单晶跨越五和六个元素的两个高熵半导体HES族，以接近等摩尔比例作为无规合金near-equimolar ratios占据M位，并保持整体Cs2MCl6晶体结构和化学计量。在高熵5-和6-元素Cs2MCl6单晶中，各种[MCl6]2-八面体分子轨道的无序结合产生了复杂的振动和电子结构，在5或6个不同孤立八面体分子的受限激子态之间，具有能量转移相互作用。High-entropy halide perovskite single crystals stabilized by mild chemistry. 基于温和化学，稳定高熵化卤化物钙钛矿单晶图1:高熵五和六元Cs2MX6单晶的合成设计。图2:五和六元高熵钙钛矿单晶的相鉴定。图3:高熵钙钛矿单晶的元素分析，以确认在M位点上结合了五或六种元素。图4:在高熵钙钛矿单晶中，M位金属中心绝对构型的高分辨结构测定。图5:确认五或六个不同[MCl6]2-八面体复合物的无序性质贯穿单相高熵钙钛矿系统，没有微结构晶粒形成。图6:高熵钙钛矿单晶的光电行为。文献链接Folgueras, M.C., Jiang, Y., Jin, J. et al. High-entropy halide perovskite single crystals stabilized by mild chemistry. Nature (2023). https://doi.org/10.1038/s41586-023-06396-8https://www.nature.com/articles/s41586-023-06396-8本文译自Nature。来源：今日新材料声明：仅代表译者个人观点，小编水平有限，如有不当之处，请在下方留言指正！仪器推荐爱丁堡仪器稳态瞬态荧光光谱仪FS5加州大学伯克利分校杨培东教授团队开发了一种新型金属卤化物钙钛矿高熵半导体溶液合成方法，研究中使用爱丁堡稳态瞬态荧光光谱仪FS5，通过光致发光的激发（PLE）光谱，阐明了五元素ZrSnTeHfPt 单晶中的能量转移现象。爱丁堡稳态瞬态荧光光谱仪FS5标配自动滤光片轮，可自动获取完整的三维荧光光谱，去除瑞利散射的影响，因此可进一步的通过激发光谱研究物质的能量转移过程。天美分析更多资讯