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2025-03-24 17:14:56评估绝缘材料: 评估绝缘材料主要涉及其对电气、热、机械及环境等多方面性能的考量。电气性能方面，需测试材料的绝缘电阻、介电强度等，确保其在电场中稳定工作。热性能方面，关注材料的耐热等级、热导率等，以评估其在高温环境下的可靠性。机械性能则包括抗拉强度、耐磨性等，确保材料在使用中不易损坏。环境性能方面，需检验材料的耐腐蚀性、防潮性等，以适应不同环境条件。综合以上各项性能指标，全面评估绝缘材料的适用性和耐久性。

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华测绝缘电阻劣化（离子迁移）评估系统上市

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 北京华测试验仪器有限公司 58
2025-01-24
绝缘电阻劣化评估离子迁移现象评估绝缘材料的劣化程度
高压漏电起痕试验仪GB/T6553-2024修订：提升电气绝缘材料耐电痕化性能评估

高压漏电起痕试验仪GB/T6553-2024修订：提升电气绝缘材料耐电痕化性能评估

 北京冠测精电仪器设备有限公司 63
2025-03-18
高压漏电起痕试验仪

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: 液体绝缘材料介电常数; 国内北京; 面议; 北京北广精仪仪器设备有限公司
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: 绝缘材料直流电阻测试仪; 国内北京; ￥20000; 北京北广精仪仪器设备有限公司
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: 固体绝缘材料电阻测试仪; 国内北京; ￥19997; 北京北广精仪仪器设备有限公司
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: 绝缘材料电阻测试仪; 国内北京; ￥20000; 北京北广精仪仪器设备有限公司
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: 绝缘材料电阻率测试仪; 国内北京; ￥19998; 北京北广精仪仪器设备有限公司
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2023-02-15 14:27:47肿瘤疫苗生物学活性评估: 肿瘤疫苗背景肿瘤疫苗，是一种具有预防和治疗潜力的有吸引力的替代免疫治疗选择，是近年研究的热点之一。针对肿瘤相关抗原（Tumor-associated antigen,TAA）或肿瘤特异性抗原 (Tumor specific antigen,TSA) 的疫苗可以特异性地攻击和破坏抗原过表达的恶性细胞，并由于免疫记忆而实现慢性治疗反应。因此，与其他免疫疗法相比，癌症疫苗提供了特异性、安全性和可耐受的治疗。根据肿瘤抗原的组分，癌症疫苗大致可以分为四种类型：基于 DNA 的疫苗，基于 RNA 的疫苗，基于多肽的疫苗和基于免疫细胞的疫苗。FDA 批准的首个个性化肿瘤疫苗 PROVENGE (Sipuleucel-T) 是一种基于免疫细胞的疫苗，用于激素难治性前列腺癌的治疗。除此之外，Moderna，BioNTech 都在布局基于 mRNA 的肿瘤疫苗。图 1 肿瘤疫苗抗原呈递平台示意图肿瘤疫苗有效性评估方法生物体接种疫苗后，肿瘤抗原被带到淋巴结，进而激活抗原特异性的 B 细胞和 T 细胞，活化的 B 细胞产生的抗体及活化的效应 T 细胞会使肿瘤内胀并诱导肿瘤细胞死亡。图 2 肿瘤疫苗诱导的免疫反应示意图如何有效的评估肿瘤疫苗的有效性是一个非常值得探讨的问题，常用的肿瘤疫苗有效性验证的方法，包括细胞因子检测、CTL 活性检测、T 细胞活化标志物检测、抗体滴度检测、ADCC 检测等。1、细胞因子检测细胞因子是由免疫细胞经过刺激而合成并分泌的小分子蛋白质，在免疫应答中起着非常重要的作用，因此可以通过细胞因子的分泌能力来反应疫苗诱导的细胞免疫的水平。常见的细胞因子有白介素 (IL) 、干扰素 (IFN)、肿瘤坏死因子 (TNF) 等。下面比较了几种常见的检测方法。ELISA 是一种非常经典的细胞因子的检测方法，例如在王晓东等人发表的关于胃癌疫苗研究的文章中，提到了用 ELISA 的方法检测接种疫苗后小鼠骨髓源树突状细胞（BMDCs）分泌细胞因子的能力，检测方法如下：BMDCs 在含有 10ng/mL GM-CSF 和 10ng/mL IL-4 的 X-vivo 15 培养基中培养，37℃下培养 6 天，然后以每孔 5×104 细胞的密度在 96 孔板中接种。以 5µM 或 10µM 的最终浓度加入疫苗抗原，孵育 24 小时。使用小鼠 TNF-α 和 IL-12 p70 ELISA Ready-SET-Go 试剂组定量培养上清中的 TNF-α 和 IL-12 。首先在 4℃下用捕获抗体包被 ELISA 板过夜，然后在室温下依次加入阻断液、细胞培养上清和检测抗体，孵育 1h 。最后加入终止液和显色剂，用酶标仪 (BioTek) 在 450nm 处记录 OD 值。检测结果如下：从检测结果可以看出，T7（TLR7 激动剂）的存在可以显著提升 ML/MB 抗原诱导的免疫反应。图 3 ELISA 法测定小鼠骨髓树突状细胞 (BMDCs) 分泌TNF-α (a) 和 IL-12 (b) 的水平Ankita Leekha 等人发表的关于 SRAS-COV2 疫苗文章中，提到了用 ELISPOT 的方法评估细胞因子的分泌水平，可以作为参考。具体方法如下：从小鼠中分离脾细胞和肺细胞，使用小鼠 IFNγ ELISpot 基础试剂盒和小鼠 IL4 ELISpot 基础试剂盒 (Mabtech, VA, USA) 进行 IFNγ 和 IL4 ELISpot 检测。在 37℃ 下，在预包被抗体的 ELISpot 板中，用抗原刺激脾细胞和肺细胞，培养 16-18 小时。第二天，洗掉细胞，加入生物素化的检测抗体。洗板后，加入 1:30000 稀释的 Extravidi-ALP 偶联物，室温孵育 1 小时。洗板后，每孔添加 70µL 显色液，孵育 20-30min，形成斑点，然后用水清洗，干燥。使用 Cytation 7 (BioTek) 对斑点进行量化。每个点对应一个单独的细胞因子分泌细胞。检测结果如下：图 4 ELIPSOT 方法检测小鼠脾细胞和肺细胞分泌细胞因子的水平2、CTL 活性检测疫苗诱导的细胞毒性 T 淋巴细胞 (CTL) 可以直接杀伤肿瘤细胞，起到抗肿瘤的作用，因此可以通过检测 CTL 的杀伤效应来反应疫苗的效果。常用的检测细杀伤效应的方法有很多，下表列举了一些常用的方法。王晓东等人发表的文章中提到了 LDH 检测，检测方法如下：从接种疫苗小鼠的脾脏中分离淋巴细胞（效应细胞）。EAC 肿瘤细胞（靶细胞）与淋巴细胞（效应细胞-靶细胞比例为 50:1）共培养 4h，使用乳酸脱氢 (LDH) 法测定细胞毒性。将培养 4h 后的培养上清加入在 ELISA 板中，室温下加入底物溶液，孵育 30min。最后，加入终止液终止反应，并用酶标仪 (BioTek) 在 490nm 处检测光密度。检测结果如下：相对于 PBS 对照组来说，T7-MB 组 CTL 细胞具有显著的杀伤效应。图 5 LDH 法测定 CTL 介导的 EAC 靶细胞的裂解水平3、抗体滴度及亲和力检测肿瘤疫苗除了可以诱导细胞免疫之外，也可诱导体液免疫，对此可通过对抗体滴度及亲和力进行检测来反应疫苗抗肿瘤的效果，ELISA 是一种非常经典的检测方法。上述关于胃癌疫苗的文章中通过 ELISA 方法测定小鼠接种疫苗后血清中总 IgG 含量，具体检测过程如下：小鼠接种疫苗后收集血液样本，通过 3000g 离心 15 分钟获得血清样本。ELISA 板预先在 4℃ 包被 BSA-MG1 过夜，然后在室温下依次加载封闭溶液 2h，血清样品 (1:50 稀释) 和检测抗体 1h。最后，在体系中加入 p-NPP 底物 (Millipore) 和终止液，用酶标仪 (BioTek) 在 405nm 处记录 OD 值。检测结果如下：相对于 PBS 对照组来说，T7-MB 组抗体含量明显上升。图6 ELISA法测定疫苗诱导的血清抗体水平除此之外，在 Emily C. Gale 等人发表的关于 mRNA 递送系统及辅剂研究的文章中，通过 ELISA 的方法测定了 mRNA OVA 模式疫苗诱导的 OVA 特异性抗体的绝对含量及其亲和力。具体检测方法如下：抗体浓度：小鼠接种加强疫苗后，采集血液样品，血清按照 1:100 000 进行稀释。采用 anti-OVA mouse IgG1 ELISA (Cayman Chemicals) 试剂，按照试剂厂家的说明进行 ELISA 实验。使用 Synergy H1 Microplate Reader (BioTek) 在 450nm 处记录 OD 值。根据标准曲线计算血清抗体浓度，表示 mg/mL。抗体亲和性：将 12 个梯度稀释的血清与恒定浓度标记 HRP 的 anti-OVA 抗体 (3nM) 混合，并在 OVA 抗原包被的板中室温孵育 2 小时，洗板后用 TMB 底物孵育，用 HCl 停止反应。测定 450nm 处的 OD 值。根据业内发现的单克隆抗体的共同亲和力，假设对照抗体的 KD 为 1nM 对实验组的 KD 值进行统计。这一假设仅影响报告的绝对 KD 值，而不影响实验组之间的相对差异。检测结果如下：pIC 为双链 RNA 结构模拟物，图E中比较了可溶性的 pIC 和不同纳米颗粒递送系统诱导的绝对抗体含量，从图 E 中可以看出 2B 递送系统诱导的 OVA 特异性抗体含量最高。从F和G可以看出 2B 递送系统相对于可溶性 pIC 来说诱导的 IgG 亲和力也显著升高。图 7 pIC/PBAE NPs 增强体液免疫4、ADCC 检测疫苗诱导体液免疫产生的抗体能够捕捉目标抗原，阻断这个靶分子的功能，也可以引导其他免疫细胞（如巨噬细胞和自然杀伤细胞）杀死表达抗原的靶细胞，在肿瘤治疗中，特别是血液肿瘤中，抗体依赖的细胞介导的细胞毒性作用 (ADCC) 起着关键作用，ADCC 常用的检测方法包括细胞活力检测、LDH 检测、工程细胞株、Delfia、RTCA、细胞成像检测等。王晓东等人发表的关于胃癌疫苗研究的文章中，提到了 LDH 方法检测 ADCC，检测方法如下：小鼠接种疫苗后，采集其血清样本（1:25 稀释），然后与 EAC 细胞（靶细胞）在 37°C 孵育 30min。使用小鼠 NK 细胞分离试剂盒从正常 BALB/c 小鼠中分离出自然杀伤 (NK) 细胞（效应细胞），与抗体标记的 EAC 细胞以效靶比 50:1 共培养 4 小时。采用 LDH 法 (Promega) 测定细胞毒性，检测方法与之前提到的 CTL 活性检测的方法一致。检测结果如下：相对于 PBS 对照组来说，T7-MB 组产生的抗体具有显著的杀伤效应。图 8 LDH 法测定血清抗体介导的 EAC 靶细胞的裂解水平肿瘤疫苗生物学活性检测解决方案推荐本文介绍了肿瘤疫苗活性检测的常用方法，包括细胞因子检测、CTL 活性检测、抗体滴度及亲和力检测、ADCC 检测等方法，涉及到了酶标仪、成像系统、流式、RTCA、洗板分液系统等设备。Agilent 细胞分析事业部可以从多个角度为用户提供从样品处理，到结果检测再到数据分析的全面解决方案。

2022-10-31 14:14:47啮齿类动物的外周神经损伤如何评估？

2023-01-31 15:25:45使用眼科手术显微镜术中OCT进行残留碎片评估: 凭借显著优化视野的高jingzhun性和同步性，眼科手术显微镜术中OCT成像系统可以帮助眼科医生在眼科手术中实现高水准的手术效果。眼外科医生分享了在白内障和视网膜手术中使用眼科手术显微镜术中OCT的经验。关键经验眼科手术显微镜有一种内置术中OCT的高级成像解决方案，设计用于改善眼前后节手术的工作流程，实现高精准度。医生分享了在白内障手术中使用眼科手术显微镜术中OCT成像系统的体验。医生特别强调了使用这款成像解决方案在检测和处理残余晶状体碎片的优势。由于这些晶状体碎片会被手术切口或水肿遮挡，因此很难看到。眼科手术显微镜术中OCT可以有效定位残留晶状体碎片，从而改善手术效果，降低术后并发症和二次手术的风险。关于 EnFocusEnFocus是用于眼科手术显微镜的术中OCT。它可以呈现出高度清晰的实时眼前节和眼后节图像，便于观察眼底下表面显微结构。除了角膜移植术和白内障手术，在角膜、青光眼和视网膜手术中，术中OCT同样可以提供相同的优势。它也是基因治疗中一项重要的辅助工具。EnFocus可以结合眼科手术显微镜使用，提供全面的可视化效果。免责声明：本文中医疗专业人员的陈述和解释仅代表其个人观点和经验，并不代表其所属机构的观点。残留晶状体碎片评估除了视网膜手术这一典型的适用领域，术中OCT在白内障手术中也能够发挥重要的作用，尤其是用于评估残留晶状体碎片。手术结束时，我怀疑存在晶状体碎片。借助术中OCT，可以突出显示残留碎片。碎片尺寸较大，隐藏在主切口的水肿后面。当碎片尺寸相对较小，隐藏在辅助切口后面。然而，这些碎片受切口附近的角膜水肿影响，很难发现。这时候术中OCT便可以发挥重要的作用。一般是对眼后节进行360°环形扫描。使用显微镜脚踏开关，可以返回手术区域并分析图像。这样就可以看到辅助切口水肿后面有一个隐藏的残留碎片。在别的眼科手术中也能看到虹膜角膜角度有微小的残留碎片。术中OCT的优势在眼科手术中，术中OCT可以在白内障手术中发挥重要的作用。医生可以用它发现残留碎片，避免几天或几周后进行二次手术，还可以减少术后并发症。所以说，术中OCT是一种提高白内障手术质量和完善性的有效工具。

2021-09-27 14:16:39绝缘材料体积表面电阻率测试仪的操作注意事项: 使用注意事项注：高阻测量一定要严格按使用方法步聚进行，否则有可能造成仪器损坏或电人。7.1、应在“Rx”两端开路时调零（主机开机）：如接在电阻箱或被测量物体上时调零后测量会产生很大的误差。一般一次调零后在测试过程中不需再调零，但改变测量电压后可能要重新调零。7.2、禁止将“电压与电流”两端短路，以免微电流放大器受大电流冲击。7.3、在测试过程中不要随意改动测量电压：随意改动测量电压可能因电压的过高或电流过大损坏被测试器件或测试仪器，而且有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。7.4、测量时从低次档逐渐拔往高次档：每拨一次稍停留3～5秒以便观察显示数字，当有显示值时应停下，记录当前的数字即是被测电阻值。若显示“1”时，表示欠量程应往高次档拔。直到有显示数字时为止。当有显示数字时不能再往高次档拨，否则有可能损坏仪器(机内有过电流保护电路)。除104Ω档之外，当显示低于1.99，表示过量程应换低档。7.5、大部分绝缘材料，特别是防静电材料的电阻值在加电压后会有一定变化而引起数字变化：由于本仪器的分辩率很高，因而会引起显示值的末尾几位数也变化，这不是仪器本身的问题，而是被测量对象的导电机理复杂而使得阻值有些变化。在这种情况下往往取2位有效数就够了。7.6、接通电源后，手指不能触及高压线的金属部分：本仪表有二连根线，高压线(红)和微电流测试线。在使用时要注意高压线，开机后人不能触及高压线，以免电人或麻手。7.7、测试过程中不能触摸微电流测试端：微电流测试端最怕受到大电流或人体感应电压及静电的冲击。所以在开机后和测试过程中不能与微电流测试端接触，以免损坏仪表。7.8、在测量高阻时，应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽：在测量大于1010Ω以上时，为防止外界干扰面而引起读数不稳。 7.9、每次测量完时应将量程开关拨回“104 ”档再进行下次测试7.10、在测量时应逐渐将量程开关拨到高阻档，测量完时应将量程开关拨回低档。以确保下次开机时量程开关处在低阻量程档。

2023-06-26 14:52:50无损无接触定量评价！GaN晶体质量评估新思路——ODPL法！: 随着疫情三年的结束，大家又开始马不停蹄出差、旅游、返乡，生活的压力让人喘不过气。更别提出行的时候，还需要背一个很沉的电脑，以及与它适配的、同样很沉的、形状不规律的、看着就很糟心的电源适配器！有没有一种东西，能够让大家的出行变得更加轻松（物理上）？那必须是现在越来越流行的氮化镓（GaN）充电器了！一个氮化镓充电器几乎可以满足所有出行充电的需求，并且占地空间小，简直是出行神器！图1 氮化镓（GaN）充电器氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，一种直接能隙（direct bandgap）的半导体材料。GaN材料具有宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度等特点，其器件耐高温、耐高压、高频和低损耗，大大提升电力器件集成度，简化了电路设计和散热支持，具有重要的价值和广泛的应用，是现在最火热的第三代半导体材料，没有之一。GaN的应用不止在流行的充电器上，早在2014年日本科学家天野浩就凭借基于GaN材料的蓝光LED获得了诺贝尔奖。不过GaN就没有缺点了吗？或者说GaN没有改善的地方了吗？并不是， GaN技术的难点在于晶圆制备工艺。由于制备GaN的单晶材料无法从自然界中直接获取，所以GaN的主要制备方法是在蓝宝石、碳化硅、硅等异质衬底上进行外延。而现在由异质外延生长的GaN普遍存在大量缺陷的问题。缺陷的存在势必会影响到晶体的质量，从而影响到材料和器件的电学性能，最终影响到未来半导体科技的快速发展。因此，降低GaN晶体里面的缺陷量，提高晶体质量，是当前第三代半导体领域研究很重要的一个课题。GaN晶体质量/缺陷评估的方法GaN晶体里面的杂质、缺陷是非常错综复杂的，无法单纯通过某一项缺陷浓度或者杂质含量来定量描述GaN晶体是否是高质量，因此现在评价GaN晶体质量的手段比较有限。根据现有的报道，大致有以下几种：多光子激发光致发光法（Multiphoton-excitation photoluminescence method，简称MPPL）、蚀坑观察法（Etch pit method）以及二次离子质谱（Secondary-ion mass spectrometry，简称SIMS)。MPPL法多光子激发光致发光法采用长波长激发，远大于带边荧光波长。激发过程需要同时吸收二个或者多个光子。通过吸收多个脉冲光子，在导带和价带形成电子空穴对，随后非辐射驰豫到导带底和价带顶,最后产生带边发光和缺陷发光。通过滤波片获得带边和缺陷发光光谱和光强，改变入射光斑的位置，从而得到样品的荧光信号三维分布，即三维成像。多光子荧光三维成像技术可以识别和区分不同类型的位错，但是无法定量评估GaN的晶体质量，而且多光子激发的系统造价高。图2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted参考文献：Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蚀坑观察法蚀坑观察法通过适当的侵蚀可以看到位错的表面露头，产生比较深的腐蚀坑，借助显微镜可以观察晶体中的位错多少及其分布。该方法只适合于位错密度低的晶体，如果位错密度高，蚀坑互相重叠，就很难将它们区分。并且该方法是对晶体有损伤的，做不到无损无接触。图3 蚀坑观察法SIMS技术SIMS是利用质谱法分辨一次离子入射到测试样品表面溅射生成的二次离子而得到材料表面元素含量及分布的一种方法。SIMS可以进行包括氢在内的全元素分析，并分辨出同位素、化合物组分和部分分子结构的信息。二次离子质谱仪具有ppm量级的灵敏度，最高甚至达到ppb的量级，还具有进行微区成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS对晶体有损伤，无法做到无损。图4 SIMS技术以上三种技术均是评估GaN晶体缺陷的方法，但是每一种都有其缺憾的地方，它们无法做到定量的去评价GaN晶体的质量，而且具有破坏性。为了更好地定量评估GaN晶体质量，滨松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授从2016年开始合作研发了一套基于积分球的全向光致发光系统（Omnidirectional Photoluminescence，以下简称ODPL），该系统是第一个无损无接触定量去评价GaN晶体质量的方法/系统。ODPL系统ODPL系统是首个无接触无损评价半导体材料晶体质量的方法，通过积分球法测量半导体材料、钙钛矿材料的内量子效率。该产品可以直接测量材料 IQE，具有制冷型背照式 CCD 高灵敏度以及高信噪比。图5 ODPL测量方法示意图传统光致发光的量子效率测量指的是晶体的PLQY，即光致发光量子效率，其定义为：PLQY = 样品发射的光子数/样品吸收的光子数图6 GaN样品在积分球下的发射光谱PLQY是表征晶体发光效率最常见的参数之一，对于绝大多数的发光材料，PLQY都是黄金标准。但是对于GaN晶体，PLQY的表征显得不足。上图可见，GaN的光致发射光谱呈双峰形状，这是由于GaN晶体中的缺陷等，会将GaN本身发射的PL再次吸收然后发射（光子回收Photon Recycling现象）。图7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因为存在Photon Recycling的现象，GaN的PLQY不足以表征其发光转化效率，而真正可以表征GaN晶体发光转化效率的定义是其真正的内量子效率：IQE = 样品产生的光子数/样品吸收的光子数图8 GaN样品的标准发射光谱IQE是GaN晶体的PLQY考虑LEE和光子回收现象以后的参数，更能直观、定量反映GaN晶体的质量。图9 高IQE和低IQE晶体的对比高IQE的GaN晶体通常表现为：高载流子浓度、低穿透位错密度、低杂质浓度、低点缺陷浓度、高激发功率密度。图10 不同穿透位错密度晶体的IQE结果对比免费样机预约ODPL现在ODPL样机开放免费预约试用活动，有意向的客户请在评论区留言“样机试用”小编看到之后会第一时间与您联系，样机数量有限，先到先得哟~图11 ODPL样机展示以上有关新品的信息已经全部介绍完毕了，如有任何疑问，欢迎在评论区留言哟。

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