以下转载自传热传质青委会
第一作者:牛良,曾良
通讯作者:冯光
通讯单位:华中科技大学
研究背景
超级电容器因其卓越的功率密度和循环寿命得到了广泛的关注。电网调频、车辆动能回收和集成电路等领域要求超级电容器在几秒甚至毫秒内完成充放电。这突显了在高充放电速率下提升超级电容器性能的迫切需求。实现这一目标的关键在于深入理解超级电容器的充电机制。充电机制的解析依赖于在极化条件下监测多孔电极内电解液离子的响应,这可以通过多种原位实验技术(如电化学石英晶体微天平(EQCM)、核磁共振(NMR)、X射线透射(XRT)等)和先进的计算方法(如分子动力学(MD)模拟)来实现。基于这些技术,针对不同电极-电解液系统的充电机制研究在过去十年取得了显著进展。例如,基于原位NMR和EQCM的研究表明,电解液为NEt4BF4/乙腈的超级电容器充电机制包含反离子吸附和离子交换;MD模拟表明,当阳离子尺寸增大时充电过程被阳离子主导,这一结论随后被基于EQCM和NMR的实验所验证。
然而,上述发现是在低充放电速率条件下(如准静态过程、扫速小于20 mV/s)观测得到的,与实际应用中典型的快速充放电场景(扫速大于100 mV/s)存在显著差异。近期,一些工作通过研究不同扫速下的充放电过程来探讨更高充放电速率下的充电机制,但得出的结论不一致。具体而言,对于常见的纳米多孔电极系统,MD模拟表明充放电过程在高扫速下由反离子吸附主导,在低扫速下则由离子交换主导;然而,原位XRT实验表明在高扫速下充电过程由离子交换主导,在低扫速下则由反离子吸附主导;与MD和XRT均不同,EQCM实验发现充放电速率的影响可以忽略不计。因此,亟需探究超级电容器在不同充放电速率下的充电机制。
工作介绍
本文结合电化学石英晶体微天平(EQCM)和恒电势分子动力学模拟(CPM-MD),探究了以导电金属有机框架(MOF)为电极、离子液体([EMIM][BF4])为电解液的超级电容器系统在不同扫速下的充放电过程。主要亮点如下:
1. EQCM实验和MD模拟结果相符,均表明扫速对导电MOF充电机制有显著影响,电极质量变化曲线的斜率随扫速的增加逐渐降低。
2. 基于EQCM分析和MD模拟统计的阴阳离子的数量变化共同表明,导电MOF在低扫速下呈现独特的阴离子主导的充电方式,随着扫速的增加转变为离子交换主导。
3. MD模拟得到的孔内离子动态微观结构表明,充电机制的转变源于“过屏蔽”效应及其与扫速的依赖,这会导致电极孔内中心和表面区域之间的离子响应出现差异。
图文解析
图1.MOF限域离子液体电解液的质量变化
作者采用EQCM和自主开发的恒电势分子模拟监测了充放电过程中导电MOF电极(Ni3(HITP)2)在离子液体电解液([EMIM][BF4])中的质量,实验和模拟设置如图1a-b所示。不同扫速下导电MOF-离子液体体系的CV曲线几乎呈矩形,表明充放电过程中的氧化还原反应可以忽略不计(图1c)。经过薄膜刚性检验后,导电MOF电极的质量变化可以通过Sauerbrey方程从频率响应中得到(图1d)。同时,MD模拟可以得到充放电过程中孔内离子的质量变化(图1e)。结果表明,实验和模拟中质量变化趋势一致(图1d vs.图1e):在低扫速下(实验中为10 mV/s,模拟中为准静态过程),导电MOF电极内电解液的质量随电势的变化单调增加(图1d-e)。质量-电势曲线斜率为正,与负极化下的阴离子脱附和正极化下的阴离子吸附有关,意味着阴离子主导了整个充放电过程。当扫速增加时(实验中为100 mV/s,模拟中为100 ns的充放电周期),质量-电势曲线的斜率显著减小,在正极化下接近零,表明阴离子在充放电过程中不再占主导。此外,该扫速下的质量变化表现出显著的滞后,这一现象在活性碳和金属电极体系中已有报道,但首次在导电MOF电极中被发现。当扫速进一步增加时(实验中为1000 mV/s,模拟中为10 ns的充放电周期),质量-电势曲线的斜率进一步减小,表明阴离子的参与度持续下降。
图2. MOF限域离子液体电解液中的阴阳离子数量变化和充电机制
根据EQCM实验中质量和电荷守恒原理,作者计算了孔内阳离子和阴离子的数量变化(图2a-c)。基于统计分析,MD模拟同样得到了不同扫速下阳离子和阴离子的响应(图2d-f)。实验和模拟结果中的阴离子和阳离子的变化趋势相一致(图2a-c vs. 图2d-f)。在低扫速下(实验为10 mV/s,模拟为准静态过程),阴离子的数量变化显著大于阳离子(图2a,d)。随着扫速的增加(100 mV/s和100 ns),阴离子数量变化明显减少,而阳离子数量变化基本不变(图2b,e)。当扫速进一步增加时(1000 mV/s和10 ns),阴离子数量变化进一步减少而接近阳离子(图2c,f)。与此同时,阴离子曲线中的滞后现象消失,导致质量-电势曲线中的滞后减少(图1d-e)。
上述结果表明阴阳离子对电势的响应显著依赖于充放电过程的扫速。为了量化这种依赖关系,作者基于实验中阴阳离子的数量变化(图2a-c)计算了不同扫速下的充电机制参数(X)。当扫速为10 mV/s时,充放电过程中X的平均值在负极化时位于共离子脱附主导区,在正极化时位于反离子吸附主导区(图2g),这表明充放电由阴离子吸/脱附主导。这一充电机制与活性碳电极中通常为反离子吸附或离子交换主导的电荷存储过程显著不同。这一机制也与1 mV/s下有机电解液中另一种导电MOF电极(Cu3(HHTP)2)的机制不同,这可能是因为溶剂分子对充放电过程具有显著影响。当扫速增加到100 mV/s时,X值增加,但在负极化下仍位于共离子脱附主导区,而在正极化下X值下降至反离子吸附区的边缘(图2g)。X值的变化表明,扫速的增加导致电荷存储过程中离子交换的比例增加。在1000 mV/s的高充电速率下,X值在负极化下迅速增加,在正极化下略微减少,在整个电势范围内X值主要处于离子交换主导区,表明此时离子交换主导了充放电过程(图2g)。
导电MOF在离子液体中的不同充电机制表明阴离子和阳离子对能量存储的贡献发生了变化。根据上述阴离子和阳离子的数量变化(图2a-c),作者计算了两者的电流和贡献的电容(图2h-i)。当离子吸/脱附方式从阴离子主导转变为离子交换主导时,阳离子贡献的电容保持稳定,而阴离子贡献的电容迅速下降,导致阴离子对总电容的贡献从83%下降到57%。考虑到已有研究专注于通过共离子和反离子数量变化评估充电机制,而没有将其与宏观性能联系起来。这种充电机制与单种离子电容之间的内在关联可能为量化充电过程提供了一种新方法。
图3. 电极纳米孔内离子结构的演化
作者基于MD模拟为充电机制提供了更深入的理解。如图3a所示,充放电过程中阳离子和阴离子的二维数密度表明,纳米孔内离子存在显著的分层结构:在孔轴附近(即中心区域),离子表现出圆形或六角形分布,而在电极表面(即表面区域),离子呈现环形或花瓣状分布,这与之前的导电MOF模拟研究一致。为了理解两个区域内离子的贡献,作者统计了导电MOF孔内阳离子和阴离子的径向数密度(图3b、d、f),以及这两个区域内的质量变化(图3c、e、g)。
在准静态充放电过程中,中心区域阳离子密度的峰值随电势增加而降低,而分布范围几乎保持不变(图3b左)。因此,该区域阳离子的质量随电势单调减小(图3c)。在表面区域,随着电势的增加,尽管靠近电极表面的阳离子峰值下降,但离子结构从单峰转变为双峰分布(结构从环形转变为花瓣形,图3a,b),这表明离子分布的空间范围显著增加。因此,该区域阳离子的质量在电势增加时异常增加(图3c)。对于中心区域的阴离子(图3b右),当电势更负时,离子分布峰的高度和范围都减小,导致离子质量减少(图3c)。当电势更正时,密度的峰值增加,而分布范围减小,导致离子质量略微变化。对于表面区域的阴离子,当电势更负时,密度分布呈现出两个峰,彼此相互抵消(图3b右面),因此质量变化较小(图3c)。当电势为正时,密度表现为单峰分布,且峰值随电势增大而变大,因此离子质量增加。所以,在相对较慢的充放电过程中,表面区域阳离子的异常增加导致中心区域和表面区域的吸/脱附行为相互抵消,而阴离子则没有出现这种异常增加现象。因此,充放电过程由阴离子主导(图2a和2d)。
当充放电速度增加时(周期为100 ns),离子密度的变化幅度相比准静态过程有所减小(图3d与图3b)。值得注意的是,表面区域的阳离子主要表现为双峰分布,且未出现准静态过程中双峰与单峰分布的过渡。因此,表面区域阳离子的数量没有随电势增加而异常增加,表现出轻微的变化(图2e)。因此,尽管中心区域的质量变化减少,整个孔内阳离子的质量变化几乎与准静态过程相同(图2e vs. 图2d)。相反,由于扫速较高,在准静态过程起主导作用的阴离子质量变化减小,导致充放电过程中离子交换的比例增加(图2b和图2e)
当扫速更快时(周期为10ns),离子对电势的响应更加迟缓,导致离子结构变化最小(图3f)。无论是表面区域还是中心区域,阴阳离子的质量变化都在基线附近波动(图3g)。因此,充电机制主要是阴阳离子交换(图2c和2f)。
图4. 有机溶剂加快充电动力学的机理
中心区域阳离子数量随电势反常增加的现象是充电机制的关键。为了对其进行理解,作者进一步计算了阴阳离子电荷密度和累积电荷密度在孔径方向的分布(图4)。当电势为0 V时,准静态过程中表面区域的阴离子比阳离子更多(图4a中),且离电极更近,使得累积电荷密度为负。这主要是因为阴离子与电极的相互作用比阳离子更强。由于这种更强的相互作用,电极表面的阴离子数量在正极极化作用下急剧增加,并过度屏蔽电极表面电荷(图4a右)。这种过屏蔽效应反过来导致阳离子为屏蔽多余的阴离子而异常增加。
在负极极化作用下,由于阴离子与电极的相互作用更强,一些阴离子仍然留在电极表面附近(几乎与阳离子重叠)。尽管存在阳离子引起的过屏蔽效应,但其强度比正极极化作用下弱(图4a左)。由于更弱的过屏蔽效应,表面区域的阴离子没有随电势的增加异常增加(几乎保持不变,图3c)。这说明表面区域的阴离子只是重新排布。在重新排布的过程中,阴离子占据的区域显著增加,减少了阳离子的占据空间。因此,随着电势变得更负,表面区域阳离子的数量减少(电势增加时出现异常增加)。
随着扫速的增加,离子无法迅速响应施加的电势,因此电极表面的电荷相比于准静态过程明显降低,因此,无论是正极极化还是负极极化,导电MOF孔内的过屏蔽效应都较弱(图4b、4c vs.图4a),所以没有观察到阳离子异常增加现象。
总结展望
本文通过EQCM实验和MD模拟的结合,系统地探讨了充放电速度对Ni3(HITP)2电极和[EMIM][BF4]电解液的体系充放电过程的影响,为不同充放电速度下的充放电过程提供了深入的理解。鉴于充放电速度对所选电极-电解液组合的显著影响,未来充电机制的研究需要在不同体系和多种动力学条件下进行。同时,电容与充电机制之间的内在关联为通过离子电容贡献来评估充电机制提供了一种新的方法。这些微观和本征的理解促进了高扫速下高性能超级电容器的开发。
为了更深入地理解充电机制,必须对模拟和实验进行更多的定量比较。本文作者此前提出根据结晶度将导电MOF电极等效为晶体-矩阵电极的概念,进一步开发了一个考虑晶体形状和孔隙率的通用多尺度电路模型,可以准确的描述导电MOF电极的阻抗和电容(https://doi.org/10.1039/D4CP02487G)。下一步,可以从模拟和实验两方面改进。在模拟方面,可以开发更为真实的电极和电解液原子模型,在CPM框架下提供更准确的电极极化信息。在实验方面,可以采用联合微电化学平台和EQCM的方式,表征单个导电MOF晶体在充放电过程中的质量变化,或者在石英晶体上直接生长导电MOF阵列并控制晶体方向,测量导电MOF阵列在电化学测试过程中的质量变化。
作者介绍
冯光,华中科技大学教授/博导,国家杰出青年科学基金获得者,英国皇家化学学会会士,能源与动力工程学院副院长。2010年获美国Clemson大学博士学位;随后在美国Vanderbilt大学和能源部FIRST能源前沿研究中心先后以博士后和研究助理教授从事研究工作,2013年11月加入华中科技大学担任教授/博导。将计算物理学和电化学与工程热物理进行交叉融合,以“开发分子模拟方法-揭示界面储能机理-提出界面调控策略-开发高性能储能技术”的思路,开展了有关电化学储能的研究,在超级电容器与二次电池储能机理与优化设计方面取得了一些创新成果:编纂百科全书1卷、发表英文书籍3章、SCI期刊论文百余篇;近五年,发表第一或(共同)通讯作者论文近50篇(包括Nature Materials、Nature Computational Science、Nature Communications、JACS、PRL、PRX、Energy & Environmental Science、Angewandte Chemie、Advanced Materials、Chemical Reviews等);荣获湖北省自然科学一等奖1项(排1)、湖北省青年科技创新奖;现任Energy Advances创刊副主编、Green Energy & Environment、Fluid Phase Equilibria和ChemElectroChem编委。
课题组主页:http://itp.energy.hust.edu.cn
原文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.4c14258
瑞典科技简介
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