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SuperView W1 1200 光学3D表面轮廓仪参数

来源:杭州柯盛行仪器有限公司 更新时间:2026-04-01 15:45:04 阅读量:38

一、核心技术特点

SuperView W1 1200基于白光干涉(WLI)+相移干涉(PSI) 双模式,兼顾非接触检测与高精度,核心特点如下:

  • 非接触式检测:无物理接触样品,避免软质材料(如半导体晶圆、生物薄膜)损伤,保持原始形貌;
  • 大范围+高分辨率平衡:X/Y轴最大扫描范围1200×1200μm(型号后缀“1200”对应),垂直分辨率<0.1nm,覆盖宏观区域与微观特征;
  • 多模式适配:PSI模式(Ra<10nm超光滑表面)、WLI模式(Ra>10nm粗糙表面),兼容nm~μm级粗糙度;
  • 高效数据处理:单次扫描(含采集+分析)<10s,内置ISO 25178-2标准算法,自动输出Sa、Sq、Sz等3D参数;
  • 灵活物镜配置:可选5×~100×物镜,水平分辨率从1.2μm(5×)到0.12μm(100×),适配不同样品尺度。

二、关键性能参数

性能维度 具体参数值 行业参考意义
X/Y扫描范围 1200×1200μm(最大) 覆盖模具、晶圆等中尺寸样品局部区域
垂直分辨率 <0.1nm 满足半导体晶圆(Ra<1nm)检测需求
水平分辨率 0.12μm(100×物镜) 可分辨光刻胶图形(线宽<1μm)等微观特征
垂直测量精度 ±0.05nm(重复性) 符合ISO 17025计量校准要求
粗糙度测量范围 Ra:0.1nm~10μm 适配超光滑(光学元件)到粗糙(刀具)表面
扫描速度 单次扫描<10s 提升批量检测效率(如半导体良率检测)
数据输出格式 CSV、TIFF、ISO 25178报告 兼容Gwyddion、ImageJ等主流分析软件

三、典型应用场景

  1. 半导体制造:晶圆表面粗糙度检测(Ra<1nm)、光刻胶图形深度测量(垂直精度±0.05nm)、芯片键合区形貌分析;
  2. 精密模具加工:模具型腔微观形貌表征(1200μm扫描范围覆盖复杂曲面局部)、抛光后表面粗糙度验证;
  3. 材料科学研究:纳米涂层厚度测量(<10nm薄膜可测)、薄膜表面粗糙度与均匀性分析;
  4. 刀具检测:铣刀刃口磨损量测量(水平分辨率0.12μm分辨微磨损)、刀具涂层形貌评估。

四、使用注意事项

  • 环境控制:20±2℃恒温、湿度<60%,避免光学元件漂移;
  • 样品制备:检测前清洁表面(无油污/颗粒),防止干扰干涉信号;
  • 校准要求:每6个月按ISO 17025校准垂直/水平参数,确保数据可追溯。

该仪器通过双干涉模式实现了“大范围扫描+纳米级精度”的平衡,核心参数覆盖行业主流检测需求,是实验室科研与工业质检的可靠工具。

13003692054
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