德国POLOS® BEAM XL桌面无掩模光刻机在实验室、科研与工业应用场景中,提供了直接写入的微图案能力与紧凑的桌面化平台,整机以高对位重复性与快速迭代著称。其无掩模工作流避免了掩模制备环节,显著缩短从工艺设计到样品测试的周期,适合微流控芯片、柔性电路、MEMS前驱结构和传感器阵列等领域的初步验证与小批量产线搭建。以下内容聚焦型号体系、关键参数与场景化应用要点,便于采购与技术评估时的对比与决策。
型号与参数(示意,参数可定制)
BEAM XL-100
曝光面积:100 mm × 100 mm
小分辨率:2 μm
对位重复性:≤0.8 μm
光源与波长:365 nm(可选405 nm)
扫描速度:约15 mm/s
运动与对位机构:高刚性XY线性导轨,光学对位结合显微对准
外形尺寸与重量:约520 × 460 × 480 mm;60 kg
功耗与环境:约350 W,工作环境18–25°C
软件/接口:BEAMware Pro,USB3.0/以太网
成本与材料兼容性:适用光致抗蚀剂、薄膜材料;厚度通常在1–5 μm范围内
BEAM XL-150
曝光面积:150 mm × 150 mm
小分辨率:1.5 μm
对位重复性:≤0.6 μm
光源与波长:365 nm/405 nm 双模可选
扫描速度:约30 mm/s
运动与对位机构:高刚性平台,配对位模板
外形尺寸与重量:约750 × 520 × 520 mm;85 kg
功耗与环境:约450 W,工作环境18–25°C
软件/接口:BEAMware Pro Plus,USB3.0/以太网
材料兼容性与工艺:薄膜、电介质涂层等材料的直接写入,提供多层对位能力
BEAM XL-200
曝光面积:200 mm × 200 mm
小分辨率:1 μm
对位重复性:≤0.5 μm
光源与波长:405 nm
扫描速度:约50 mm/s
运动与对位机构:全封闭腔体,模组化对位系统
外形尺寸与重量:约980 × 640 × 600 mm;120–130 kg范围
功耗与环境:约650 W,工作环境18–25°C
软件/接口:BEAMware Studio,USB3.0/以太网
真空/腔体选项:标配低真空腔,支持更高等级真空配置
材料与工艺:广泛适配光致抗蚀剂、薄膜涂层、导电薄膜及金属化前处理
核心特点
应用场景概览
场景化FAQ 问:适用哪些材料与涂层?答:支持常用的光刻抗蚀剂、薄膜材料及导电层的直接写入,普通厚度在1–5 μm范围内更易实现稳定成像与对位;对高折射性材料需在工艺参数上做适当优化。 问:与传统掩模光刻相比有哪些成本与时间优势?答:避免掩模制备、更新掩模的时间成本与投入,针对于快速迭代的工艺开发,单位样品的制程时间明显缩短,整体研发成本可控。 问:设备适合的产能区间是什么?答:属于低至中量产线的桌面级设备,产能取决于图案复杂度、涂层/显影步骤与后续处理流程;通常用于日/周级别的验证与小批量生产。 问:与现有工具的集成性如何?答:提供脚本化控制和数据接口,能够与常用数据格式对接,支持工艺参数批量化管理,便于与现有实验平台的数据流整合。 问:安全、培训与维护需要关注点?答:需要经过供应商培训,按照厂商手册进行日常清洁、对位系统检查与光源维护;定期检查腔体密封性与真空系统(如选配)是常规工作。 问:可定制化程度如何?答:核心参数如曝光面积、波长选择、对位精度、真空配置等均可根据用户工艺需求定制,交付前通常伴随工艺参数验证与初始工艺文档。
总结 POLOS® BEAM XL系列在桌面无掩模光刻领域提供了紧凑、灵活且高精度的直接写入能力,帮助研究与开发团队在不依赖大规模生产设备的前提下实现快速的工艺验证与小批量产线搭建。通过多型号组合,用户可以在曝光面积、分辨率与对位精度之间实现平衡,以满足微结构、材料兼容性及迭代节奏的综合需求。对于需要在实验室环境内快速实现光刻工艺验证、提升设计到样品交付速度的团队而言,BEAM XL系列提供了一条清晰且可扩展的技术路径。
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德国POLOS® BEAM XL桌面无掩模光刻机
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