上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15/A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 产品特性:
伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性:
1.水冷 - 与 KRI 霍尔离子源 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
5.高xiao的等离子转换和稳定的功率控制
伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:
离子源型号
| 霍尔离子源 eH2000 |
Cathode/Neutralizer | F or HC |
电压 | 50-300V |
电流 | 10A |
散射角度 | >45 |
可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
气体流量 | 2-75sccm |
高度 | 4.0“ |
直径 | 5.7“ |
水冷 | 是 |
伯东 KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域:
1. 离子辅助镀膜 IAD
2. 预清洗 Load lock preclean
3. 预清洗 In-situ preclean
4. Direct Deposition
5. Surface Modification
6. Low-energy etching
7. III-V Semiconductors
8. Polymer Substrates
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