详细介绍
新一代系统，效率更高、精度更高、质量更高。
具有大面积离子铣能力，提供高速透射电子显微镜样品制备。
60纳安离子束电流，提高了做样效率。
低加速原位电压，样品制备损坏率低。
采用日立ZL超薄样品制备技术（*），可制作出极微小精度的薄膜样品。
与日立其它扫描电子显微镜、透射电子显微镜、扫描透射电子显微镜使用共用样品杆（*），可快速简单转移样品，便于进一步成像和分析。
选购件
超薄样品制备附件
该附件用于制备STEM、TEM等观察用的超薄样品，它是在FIB真空样品仓内通过离子束定点切割晶圆的目标位置，并用操纵器将超薄样品提出来的一种系统。使用该附件可以大大提高样品制备的位置精度，同时样品制备时间也缩短到半小时以内。（该技术已经在日本和美国申请了ZL）。
三维分析样品杆
使用该旋转样品杆可在STEM和FIB上观察用FIB系统加工出来的微小柱状样品。，该三维旋转样品杆可有效适用于小型化电子设备三维结构评估以及立体故障分析。
具有大面积离子铣能力，提供高速透射电子显微镜样品制备。
60纳安离子束电流，提高了做样效率。
低加速原位电压，样品制备损坏率低。
采用日立ZL超薄样品制备技术（*），可制作出极微小精度的薄膜样品。
与日立其它扫描电子显微镜、透射电子显微镜、扫描透射电子显微镜使用共用样品杆（*），可快速简单转移样品，便于进一步成像和分析。
选购件
超薄样品制备附件
该附件用于制备STEM、TEM等观察用的超薄样品，它是在FIB真空样品仓内通过离子束定点切割晶圆的目标位置，并用操纵器将超薄样品提出来的一种系统。使用该附件可以大大提高样品制备的位置精度，同时样品制备时间也缩短到半小时以内。（该技术已经在日本和美国申请了ZL）。
三维分析样品杆
使用该旋转样品杆可在STEM和FIB上观察用FIB系统加工出来的微小柱状样品。，该三维旋转样品杆可有效适用于小型化电子设备三维结构评估以及立体故障分析。
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