TMR磁传感器

TMR3001角度磁传感器芯片的双轴输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号,TMR3001角度磁传感器采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出...

TMR1202开关磁传感器为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。TMR1202开关磁传感器采用TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路...

MR1350开关磁传感器通过内部电压稳器来提供温度补偿源,并允许宽的工作压范围( 3V至40V)TMR1350开关磁传感器以高电压工作、低于 0.6毫安的供电流、高响应频率宽工作温度范围,优越抗外磁干...

TMR1305开关磁传感器为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。TMR1305开关磁传感器采用高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触...

TMR1340 开关磁传感器为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。TMR1340 开关磁传感器 采用高精度推挽式半桥TMR 磁传感器和CMOS 集成电路,包括TMR 电压发生器、比较...

TMR1252开关磁传感器为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。TMR1252开关磁传感器采用高精度推挽式全桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触...

TMR1155开关磁传感器采用高精度推挽式全桥TMR磁传感器和CMOS集成电路,包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路,能将变化的磁场信号转化为数字电压信号输出。

集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。TMR1302采用TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS...

采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器 敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。

采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR磁传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。