TMR线性磁传感器

采用独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器 敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。

采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR磁传感器元件，可感应垂直于芯片表面的磁场。当外加磁场沿垂直于芯片表面方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出。