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高电压+大电流第三代半导体静态参数测试系统
发布：武汉普赛斯仪表有限公司浏览次数：77【导读】普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。#第三代半导体静态参数测试#普赛斯仪表提供高电压3500V、大电流6000A的高精度数字源表集成方案
2023-06-16相关仪器 -
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