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西安立鼎光电科技有限公司
主营产品:短波红外相机,CCD相机,单光子探测器,光电测试装备等
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光电探测器

 
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德国IFW 碳化硅紫外探测器
  • 品牌: 西安立鼎光电
  • 型号:35
  • 产地:西安
  • 光谱响应范围仅限于200-400nm 或 (210-380nm),不需要额外的滤光片来屏蔽可见光或红外辐射; 试验证明,即使在1000W/m2强度的254nm光辐照下,仍然保持长时间的稳定性;

西安立鼎光电 硅探测器
  • 品牌: 西安立鼎光电
  • 型号:30
  • 产地:西安
  • 硅光电探测器是光电器件重要的的组成部分,是可见光和近红外波段主要的探测器。硅的探测器的工作波长在0.3-1.0微米。

西安立鼎光电 0代管
西安立鼎光电 0代管
价格:面议
  • 品牌: 西安立鼎光电
  • 型号:26
  • 产地:西安
  • 单通道是玻璃版本,双电极静电聚焦系统,多碱光学阴极S25能够观测350~900nm的光谱范围,荧光屏为黄绿色。

西安立鼎光电  GEN2+像增强管
  • 品牌: 西安立鼎光电
  • 型号:GEN2+
  • 产地:西安
  • 品介绍:技术参数:EMP66G(GLASS TUBES)Parameter, unitBACDPhotocathode   useful diameter,mm18Nominal  

西安立鼎光电 倍增管PMT
  • 品牌: 西安立鼎光电
  • 型号:PMT
  • 产地:西安
  • PMT 139有一个透明锑钾铯光阴极,波长范围在350-650nm,静电聚焦电子,12倍增电极百叶窗型,平面光学输入和反射输出;使用坚固的线没有角柱设计。此光电倍增管用于一般电设备将光信号转成电信号。

美国EOS Si探测器(响应波段范围:0.2-1.1um)
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:Si
  • 产地:美国
  • 硅的探测器的工作波长在0.3-1.0微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。

美国GPD InGaAs探测器
美国GPD InGaAs探测器
价格:面议
  • 品牌: 美国GPD
  • 型号:InGaAs
  • 产地:美国
  • 品介绍:InGaAs热电制冷光电探测器技术参数:型号有效面积(mm)截止波长A/W min. (typ.)NEP  W/ÖHz min最 大暗电流封装LD-GAP500051.7um0.95

美国EOS InGaAs探测器(响应波段范围:1.0-1.7um)
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:InGaAs
  • 产地:美国
  • 铟镓砷的探测器的工作波长在1.0-1.7微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。

美国EOS 扩展型InGaAs探测器(响应波段范围1.0-2.6um)
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:InGaAs
  • 产地:美国
  • 延展铟镓砷的探测器的工作波长在1.0-2.6微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。

美国GPD Ge探测器
美国GPD Ge探测器
价格:面议
  • 品牌: 美国GPD
  • 型号:Ge
  • 产地:美国
  • 品介绍:锗探测器技术参数:ParemeterActive area(mm)TEST REVERSE   BIAS (Volts)NEP  W/ÖHz

美国EOS Ge探测器(响应波段范围:0.8-1.8um)
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:Ge
  • 产地:美国
  • 锗的探测器的工作波长在0.8-1.8微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。

美国EOS PbSe探测器(响应波段范围1-4.5um)
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:PbSe
  • 产地:美国
  • 品介绍: 硒化铅的探测器的工作波长在1.0-4.5微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。技术参数室温条件

美国EOS PbS探测器(响应波段范围1-4.5um)
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:PbS
  • 产地:美国
  • 品介绍:产品介绍:硫化铅的探测器的工作波长在1.0-4.5微米。在室温的条件下,该产品具有很高的灵敏度,还有一些附件支持,如滤光片(长波滤光片和带通滤光片)、前置放大器、光纤连接器。技术参数:室温条件

美国EOS InSb探测器
美国EOS InSb探测器
价格:面议
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:InSb
  • 产地:美国
  • 品介绍:技术参数:型号Part No.Active Dia. [ mm ]Operating Wavelength [ microns ]Responsivity [ A/W, min ]Shunt

美国Infrared InSb探测器
  • 品牌: 美国Infrared Laboratories
  • 型号:InSb
  • 产地:美国
  • 品介绍:InSb探测器 光谱响应曲线配套前置放大器前置放大器型号:INSB-1000连接方式:BNC供电电压:±15V DC ; 至少≤10mA的输出.带宽: 1.5HZ -- 1

美国EOS HgCdTe探测器(1-20um)
  • 品牌: 美国EOS
  • 型号:HgCdTe
  • 产地:美国
  • 品介绍:液氮制冷HgCdTe探测器   技术参数Part No.Active AreaOperating WavelengthResponsivity V/W @ pk [ typ

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