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美国EOS HgCdTe探测器(1-20um)

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详细介绍

产品介绍:


5.png

液氮制冷HgCdTe探测器

   

技术参数

Part No.

Active Area

Operating Wavelength

Responsivity V/W @ pk [ typ ]

Resistance -ohms [ typ ]

Time Constant

Detectivity [ cm-Hz1/2/W ]

Package

MCT10-0025

.25mm sq.

2 – 12+

> 1x104

20 - 100

0.5 μs

> 5 x 1010

LN Dewar

MCT10-005

0.5mm sq.

2 – 12+

> 4x103

20 - 100

0.5 μs

> 5 x 1010

LN Dewar

MCT10-010

1.0mm sq.

2 – 12+

> 2x103

20 - 100

0.5 μs

> 5 x 1010

LN Dewar

MCT10-020

2.0mm sq.

2 – 12+

> 200

20 - 100

0.5 μs

> 5 x 1010

LN Dewar

MCT12-020-LN6N

2.0mm sq

2 – 12+

280V/W

26


4.3×1010

LN6

MCT12-0025-LN4

0.25mm sq

2 – 12+

1.5x104

20 - 120


20 - 100

LN4

MCT14-0025

.25mm sq.

2 – 15+

> 1x104

20 -   100

0.3 μs

> 4 x 1010

LN Dewar

MCT14-005

0.5mm sq.

2 – 15+

> 3x103

20 - 100

0.3 μs

> 4 x 1010

LN Dewar

MCT14-010

1.0mm sq.

2 – 15+

> 1x103

20 - 100

0.3 μs

> 4 x 1010

LN Dewar

MCT14-020

2.0mm sq.

2 – 15+

> 100

20 - 100

0.3 μs

> 4 x 1010

LN Dewar

MCT20-005

0.5mm sq.

2 – 20+

> 300

18 - 40

0.1 μs

> 1.0 x 1010

LN Dewar

MCT20-010

1.0mm sq.

2 – 20+

> 100

18 - 40

0.1 μs

> 0.5 x 1010

LN Dewar



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