产品介绍：
MDPspot W
包括一个额外的电阻率测量选项。测量硅的电阻率，可用于没有高度调节可能性的晶圆，或晶砖。必须预先定义这两个选项中的一个。
特点：
◇ 无接触无破坏的电学半导体特性
◇ 包括μ-PCD测量选项
◇ 对迄今为止看不见的缺陷的可视化和外延层的研究具有先进的灵敏度
◇ 集成多达四个激光器，用于宽的注入水平范围
◇ 获取单次瞬变的原始数据以及用于特殊评估目的的地图
技术规格:
单晶或多晶片、晶砖、电池、硅片、钝化或扩散等不同生产步骤后的晶片 | |
样品尺寸 | 50 x 50 mm² 以上到 12“ 或 210 x 210 mm² |
电阻率 | 0.2 - 10³Ω·cm |
材料 | 晶片、晶砖、部分或完全加工的硅片、化合物半导体等 |
测量参数 | 载流子寿命 |
尺寸 | 360 x 360 x 520 mm, 重量: 16 kg |
电力 | 110/220 V, 50/60 Hz, 3 A |
MDPspot 应用：
铁浓度测定
铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的
更多......
掺杂样品的光电导率测量
B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难……
更多......
陷阱浓度测定
陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
更多......
注入相关测量
少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。
更多......
优点：
◇ 台式装置，用于载流子寿命的单点测量，多晶硅或单晶硅在不同的制备阶段，从原生材料到器件。
◇ 体积小，成本低，使用方便。附带一个基本的软件，用于在小型PC或笔记本上进行结果可视化。
◇ 适用于硅片到砖，操作高度调节方便。
细节：
◇ 允许单晶圆片调查
◇ 不同的晶圆级有不同的配方
◇ 监控物料、工艺质量和稳定性
附加选项：
◇ 光斑大小变化
◇ 电阻率测量(晶片)
◇ 背景/偏置光
◇ 反射测量(MDP)
◇ 软件扩展
◇ 额外的激光器选配
