PECVD/CVD系列 RTP系列

产品应用：该电炉采用红外灯管加热，通过滑动炉体实现快速降温。应用于半导体或太阳能电池基片退火。也可用于快速热退火、快速热氧化、快速热氮化、硅化物合金退火、电极合金化、氧化物生长、离子注入后退火、薄膜

产品应用：该系列电炉采用红外灯管加热，通过滑动炉体实现快速升降温。应用在半导体、纳米技术、碳纤维、石墨烯生长等新型材料工艺领域。也同样适用于要求升降温速度比较快的气氛烧结、真空淬火退火及CVD等工艺

品用途：此款CVD生长系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结等实验。产品组成：此款CVD系统配置：1.1200度开启式真空管式炉

品用途：此款CVD系统适用于CVD工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容（MLCC）气氛烧结真空淬火退火，快速降温等工艺实验。 产品组成：CVD系统配置：

品用途：此款CVD系统是专门为在金属箔上生长薄膜而设计，特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔电极方面的研究，通过滑动炉实现快速加热和冷却。 产品组成：CVD系统配置：1.1200度开启式真空

品用途：产品专业性：PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 产品组成：PECVD系统配

品应用：PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。产品组成：PECVD系统配置：1.1200度开启式

品用途PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。产品组成PECVD系统配置；1.1200度开启式滑动

品用途PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。PECVD系统配置；1.1200度开启式滑动单温区真