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方阻仪/四探针电阻率检测仪KDK-KDY-1

本文由 上海科学仪器有限公司 整理汇编

2018-09-24 10:01 353阅读次数

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低阻型四探针检测仪/方阻仪/四探针电阻率检测仪型号;KDK-KDY-1仪器采用GB/T1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法(2)范围:电阻率10-5~10+3欧姆厘米,分辨率为10-5欧姆厘米方块电阻10-4~10+4欧姆/□,Z小分辨率为10-4欧姆/□(3)可测量材料:半导体材料硅锗棒、块、片、导电薄膜等可准确测量的半导体尺寸:直径≥20可测量的半导体尺寸:直径≥8(4)测量方式:平面测量。(5)电压表:双数字电压表,可同时观察电流、电压变化A.量程0~19.999mVB.基本误差±(0.004%读数+0.01%满度)C.灵敏度:1uVD输入阻抗1000MΩE41/2位数字显示,0~19999(6)恒流源:A.电流输出:直流电流0.003~100mA连续可调,有交流电源供给B.量程:10uA,100uA,1mA,10mA,100mA五档C.恒流源精度:各档均≤±0.05%(7)四探针测试探头A.探头间距1.59B.探针机械游率:±0.3%C.探针直径0.8D.探针材料:碳化钨,探针间及探针与其他部分之间的绝缘电阻大于109欧姆。(8)测试架:(选配)手动测试架:KDJ-1A型手动测试架探头上下由手动操作,可以用作断面单晶棒和硅片测试,探针头可上下移动距离:120mm,测试台面200x200(mm)。(9)精度电器精度:1-1000欧姆≤0.3%整机测量精度:1-100欧姆厘米≤3%(10)电流:220V±10%,50HZ,功率消耗35W注:如果测金属粉末电阻率必把样品压成块或片才能测

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