气相沉积特点

化学气相沉积为一种化工技术，在衬底表面上含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质进行化学反应使得薄膜生成为该技术的主要方法。近几十年化学气相淀积这种对无机材料进行制备的新技术发展了起来。化学气相淀积法已经在各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料的淀积，新晶体的研制以及物质的提纯方便得到了非常广泛地应用。这些材料既能够是碳化物、氮化物、硫化物、氧化物也能够为III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，并且能够利用气相掺杂的淀积过程来对它们的物理功能进行精确地控制。化学气相淀积已经变成无机合成化学的一个新领域。

气相沉积特点

化学气相沉积法之所以得到发展离不开它本身的特点，下述为其特点

1、因为相较于膜材料的熔点，薄膜生长的温度要低得多，所以能够使纯度高、结晶完全的膜层获得，这也是一些半导体膜层所必须的。

2、通过对沉积的参数的利用和调节，能够使覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等得到有效地控制。

3、简单的设备，能够便于操作和维修。

4、通常在需要850-1100摄氏度的反应温度进行，许多基体材料对于CVD的高温均耐受不住，对等离子或激光辅助技术加以采用能够使沉积温度降低。

5、有较多种类的沉积物：能够对金属薄膜、非金属薄膜进行沉积，也能够根据要求对多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。进行制备

6、在常压或低真空进行CVD反应，镀膜有着较好的绕射性，能够均匀地镀覆形状复杂的表面或工件的深孔、细孔

7、可以使较高纯度，较好致密性，较小残余应力以及结晶良好的薄膜镀层获得。因为反应气体、反应产物和基体的相互扩散，能够使附着力好的膜层获得，此对于表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜非常重要。