浅谈太阳能薄膜电池基础材料钙钛矿的单晶制备
金属卤基钙钛矿单晶以其优异的光电性能,如带隙可调、窄带、载流子扩散距离长等优势,在光电探测、太阳能电池等领域具有良好的应用前景,被认为是下一代杰出的光电探测材料。
钙钛矿单晶生长法常用的垂直布里奇曼法和反溶剂扩散法。垂直布里奇曼法(vertical Bridgman method,VB) 也叫坩埚下降法,是一种熔体生长晶体的方法。其原理为将盛满原料的坩埚置放在竖直的炉内,炉膛分上中下三部分,中间以隔热板隔开,上部高温区温度较高,能使坩埚内的原料维持熔融状态,中间部位温度梯度较大,下部低温区则温度较低。当坩埚在炉内由上往下缓缓下降到温度梯度区时,原料熔体就开始缓慢结晶。目前,VB是生长中低熔点氧化物及卤化物闪烁、压电晶体、氟化物等光学晶体的主要方法,如铌镁钛酸铅和铌锌钛酸铅、光学晶体氟化钙等均采用VB生长得到。反溶液扩散法是一种低温溶液生长晶体的方法,其原理主要是通过卤化物钙钛矿材料在不同溶剂中溶解度的差异,采用溶剂扩散的方式来调节前驱体的溶解度,进而达到结晶的目的。在本文中,我们将从钙钛矿晶体材料的实验室制备案例出发,来说明布里奇曼晶体生长法在其中的应用。
布里奇曼法制备钙钛矿案例
布里奇曼法作为一种重要的钙钛矿单晶制备方法,在科研领域有着广泛应用。本文引用曾在人工晶体学报中发表的题为《零维钙钛矿结构Cs3Cu2Br5单晶的生长和X射线探测性能》一文,作为该方法应用的案例。
原文中,作者采用里奇曼坩埚下降法生长出全无机零维钙钛矿结构Cs3Cu2Br5单晶。实验步骤简述如下:将高纯的卤化物超干粉末CsBr( ≥99.99%) 和CuBr( ≥99.99%) 以3∶2的摩尔比称量并混合均匀,再装入石英坩埚中。将坩埚内部的真空度抽至小于10Pa后,利用等离子焊封装置封口。将焊封好的石英坩埚置于坩埚下降晶体生长炉中,由室温升温至600℃后保温24h,使原料熔融并充分混合。保温阶段结束后,将温度降至熔点附近,启动下降程序。晶体生长速率为0.4mm/h,温度梯度约为20℃/cm。生长结束后,关闭下降程序,以10℃/h 的速率降至室温。经过上述操作,作者采用布里奇曼坩埚下降法生长出高质量Cs3Cu2Br5单晶,并研究了Cs3Cu2Br5的光学吸收、光致激发和发射,时间分辨光致发光和以及X射线探测性能。
图1:测试得到的XRD 衍射峰与文献报道的Cs3Cu2Br5数据一致。
图2:晶体结构示意图
卡博莱特盖罗布里奇曼晶体生长炉
上述论文案例的引用意在说明布里奇曼法在钙钛矿单晶制备的应用,感兴趣的读者可以去阅读原文。在这里,我们简要推荐一下Carbolite Gero布里奇曼晶体生长炉,Carbolite Gero在晶体生长设备领域有超过三十年的经验,针对布里奇曼晶体生长技术,专门研发了布里奇曼晶体生长炉,已在国内外有很多成功的经验和案例,助力很多实验室生产高质量的单晶,推动了化合物半导体,拓扑绝缘体,凝聚态物理中熵合金高熵合金的晶体生长工作。
技术参数:
布里奇曼晶体生长炉的加热元件是二硅化钼,垂直安装。矩形炉壳内的保温材料为真空成型的纤维板。炉壳上还有用于同外部对流冷却的孔。考虑到样品的熔点,炉子的Z高温度有 1600 °C、1700 °C、1800 °C。升降装置的两个马达,可实现不同的齿轮比。如:可达到约10 mm/s的移动速度;鉴于布里奇曼生长工艺,拉伸速度仅为0.00001 mm/s。水冷法兰的水管都套在护套内。控温热电偶型号为B型。可根据要求选配过温保护器。推荐安装过温保护器,因为晶体生长工艺时间长,多数处于无人看守的状态。
如您想要了解更多关于卡博莱特盖罗晶体生长炉在单晶制备上的应用,欢迎咨询我们。
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