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背照式 sCMOS相机优越的穿透深度能力

来源:广州市元奥仪器有限公司      分类:新品 2024-10-29 17:22:30 73阅读次数
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pco.edge 4.2 bi XU 是一款对EUV和软 X 射线范围敏感的相机,本图为它被使用在意大利 Elettra Sincrotrone Trieste 的同步加速器上。此为相机在传统研究中的示例,但此相机也适用于在前端半导体测试中应对质量控制日益增长的挑战性要求。


pco.edge 4.2 bi XU 基于背照式 sCMOS 传感器,具有非常特殊的涂层,允许在从可见光下至极紫外 (EUV) 和软 X 射线辐射下应用。该相机适用于超高真空操作,并已使用能量范围为 30 eV 至 1000 eV 的软 X 射线进行表征。该图像传感器具有 2048 x 2048 像素,像元尺寸为 6.5 µm x 6.5 µm2,允许以 40 Hz 的频率采集全帧,动态范围为 88 dB,噪声水平为 1.9 e- med。该相机结构紧凑,并提供各种软件集成选项。

UV相机的设计

现代图像传感器主要由硅制成,UV不能很好地穿透硅,波长小于 350 nm 的UV在小于 1 µm 的深度被硅完全吸收。当光从正面照射电荷耦合器件 (CCD) 或互补式金属氧化物半导体 (CMOS) 图像传感器时,检测及成像效果并不好。


图 2:带微透镜的前照式 CMOS 图像传感器(左)和带微透镜的背照式 CMOS 图像传感器(右)的横截面示意图,说明了它们在穿透深度和性能方面的差异。


详情请登录广州市元奥仪器有限公司(www.gzyaco.com,TEL:020-83212031)访问,欢迎咨询!

标签:背照式 CMOS高速相机

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作者简介:美国SVSI公司高速摄像机,高速相机,工业相机;美国DVC公司CCD相机系统;加拿大Norp...[详细]
最近更新:2025-05-09 10:06:38
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