半导体器件（晶体管或IC）三维形貌（缺陷）测量——NanoFocus三维形貌测量仪

半导体器件（晶体管或IC）是经过以下步骤制造出来的：

一．从Si单结晶晶柱制造出晶圆的制程；

二．前道制程：在晶圆上形成半导体芯片的制程；

三．后道制程：将半导体芯片封装为IC的制程。

在每一步骤，NanoFocus3D共聚焦显微镜专业的三维形貌检测技术都能提供极ng确可靠快速的测试结果。

一、【Si晶圆的制造工程】：从圆柱形的硅单结晶晶柱切出圆盘状的晶圆，并将其表面磨光，如同镜面一样。

**步、从硅单结晶晶柱切出晶圆状的晶圆（切成薄片：Slicing）

将圆柱状的Si单结晶晶柱贴在支撑台上，再使带有钻石粒的内圆周刀刃旋转，就可切出圆盘状的晶圆。

利用NanoFocusμsurf系列共聚焦显微镜的ZL多孔转盘共聚焦技术结合针对刀具测量的专用算法，可以对刀刃部分的大倾角部分进行3D测量分析。

第二步、Si晶圆的表面抛光（研磨-精磨：Polishing）

如果想制造缺陷少的器件，需要将Si晶圆表面用机械或化学方法加以抛光成镜面，以去除表面的缺陷层。在此可使用nanofocusμsurfcustom结合原子力探针实现对wafer表面上三维均实现高精度（亚纳米）粗糙度测量，用于评定抛光效果；同时可选用色散传感器完成对整个wafer的TTV，Flatness，Bow和Warp的测量。

德国NanoFocus3D共聚焦显微镜专业的三维形貌检测技术都能提供极ng确可靠快速的测试结果。