半导体器件(晶体管或IC)是经过以下步骤制造出来的:
一.从Si单结晶晶柱制造出晶圆的制程;
二.前道制程:在晶圆上形成半导体芯片的制程;
三.后道制程:将半导体芯片封装为IC的制程。
在每一步骤,NanoFocus3D共聚焦显微镜专业的三维形貌检测技术都能提供极ng确可靠快速的测试结果。
一、【Si晶圆的制造工程】:从圆柱形的硅单结晶晶柱切出圆盘状的晶圆,并将其表面磨光,如同镜面一样。
**步、从硅单结晶晶柱切出晶圆状的晶圆(切成薄片:Slicing)
将圆柱状的Si单结晶晶柱贴在支撑台上,再使带有钻石粒的内圆周刀刃旋转,就可切出圆盘状的晶圆。
利用NanoFocusμsurf系列共聚焦显微镜的ZL多孔转盘共聚焦技术结合针对刀具测量的专用算法,可以对刀刃部分的大倾角部分进行3D测量分析。
第二步、Si晶圆的表面抛光(研磨-精磨:Polishing)
如果想制造缺陷少的器件,需要将Si晶圆表面用机械或化学方法加以抛光成镜面,以去除表面的缺陷层。在此可使用nanofocusμsurfcustom结合原子力探针实现对wafer表面上三维均实现高精度(亚纳米)粗糙度测量,用于评定抛光效果;同时可选用色散传感器完成对整个wafer的TTV,Flatness,Bow和Warp的测量。
德国NanoFocus3D共聚焦显微镜专业的三维形貌检测技术都能提供极ng确可靠快速的测试结果。
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