揭示高精度三维形貌测量在有机光电器件中的应用

应用案例

关键是要保持底部电极不受损坏。在这种情况下，它由三层不同的层组成，三层的总厚度在 50-60 nm 之间。图1 显示了在λ=550 nm、F=210 mJ/cm2 和 95% 脉冲重叠时激光写入线的三维轮廓。烧蚀深度超过 60 纳米，底部电极的一部分被去除（深蓝色区域）。

图 [1].

λ=550 nm、F=210 mJ/cm2 和 95 % 脉冲重叠时的激光写入线三维轮廓图。

图 [2]. 

λ=550 nm、F=110 mJ/cm2 和85 %脉冲重叠时的激光写入线三维轮廓图。

烧蚀深度优化为 60 纳米。ITO 的损坏可以忽略不计，且不会影响器件的性能。图 3 展示了优化激光刻蚀线的剖面图。剖面图显示烧蚀深度约为 50 纳米，线宽小于 5 微米。

图[3]. 

λ=550 nm、F=110 mJ/cm2 和 85 % 脉冲重叠率条件下激光写入线的剖面图。

使用激光连接有机发光二极管可将非活动区的宽度减小到 40 微米以下，从而使其不为肉眼所见。因此，共聚焦显微镜的使用使我们能够快速确定烧蚀的特征，大大提高了效率。

利用 Sensofar的 3D 光学轮廓仪 S neox 共聚焦功能和 150 倍物镜，可以监测到宽度约为微米、深度约为 100 纳米的激光刻线。我们使用该仪器可以通过测量薄膜层来检测烧蚀是否具有选择性。