5G时代Z重要的半导体材料：碳化硅（SiC）的膜厚测量
作者：Kevin Hu，优尼康科技有限公司高级技术工程师
随着5G大潮的到来，新一代的移动通信产品大多具备高功率，耐高温等特性，传统原料中的硅(Si)无法克服在高温、高压、高频中的损耗，逐渐被淘汰，跟不上时代的发展，无法满足现代工艺的要求，这就使得碳化硅（SiC）新工艺在半导体行业崭露头角。
目前SiC 产品格局还处于三足鼎立的状态，美国、欧洲、日本占据产值的八成，其中又以美国独大，ZG虽以即将进入5G时代，但是半导体在SiC方面仍属于发展初期，目前在基底、磊晶和零组件方面均有布局。
为了把控和检测产品工艺，提高技术生产水平，SiC工艺中管控各种膜厚厚度显得尤为重要。
我们优尼康提供的Filmetrics的光学膜厚仪，因为光学测量具有快速无损等优点，已经广泛使用在半导体相关的企业中，尤其在Z近新兴的SiC器件量测应用中。例如国内SiC生产的企业，中车、华润上华、启迪新材料等等。
SiC工艺中常见测量膜层有：SiO2/PESiO2、SiNx、C膜、多晶硅、非晶硅、光刻胶、BPSG/USG等。
为了更好的解决不断出现的SiC新工艺上的测量问题，也为了能够帮助半导体企业更快更好的提高制作工艺，我们优尼康公司愿意和广大厂家一起进步，为ZG芯片添砖加瓦，有任何相关的测量需求，均可来电和我们技术工程师沟通探讨。
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