Helios 5 DualBeam 双束扫描电镜

样品制备与 XHR 扫描电镜成像

最终样品制备 (TEM薄片，APT)

STEM 亚纳米成像与样品制备

SEM

着陆电压

20 eV~30 keV

20 eV~30 keV

分辨率

0.6 nm@15 keV

1.0 nm@1 keV

0.6 nm@2 keV

0.7 nm@1 keV

1.0 nm@500 eV

STEM

分辨率@30 keV

0.7 nm

0.6 nm

0.3 nm

FIB制备过程

最大材料去除束流

65 nA

100 nA

65 nA

最终最优抛光电压

2 kV

500 V

TEM样品制备

样品厚度

50 nm

15 nm

7 nm

自动化

否

是

是

样品处理

行程

110×110×65 mm

110×110×65 mm

150×150×10 mm

100×100×20 mm

100×100×20 mm+5轴（S）TEM Compustage

快速进样器

手动

自动

手动

自动

自动+自动插入/提取STEM 样品杆

离子光学

具有卓越的大束流性能的Tomahawk HT 离子镜筒

具有卓越的大束流和低电压性能的Phoenix 离子镜筒

离子束电流范围

1 pA – 100 nA

1 pA – 65 nA

加速电圧

500 V – 30 kV

500 V – 30 kV

最大水平视场宽度

在束重合点处为0.9 mm

在束重合处点为0.7 mm

离子源寿命

1,000 小时

1,000 小时

两级差分抽吸

两级差分抽吸

飞行时间校准

飞行时间校准

15孔光阑

15孔光阑

电子光学

Elstar超高分辨率场发射镜筒

Elstar超高分辨率场发射镜筒

磁浸没物镜

磁浸没物镜

高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电流

高稳定性肖特基场发射枪提供稳定的高分辨率分析电流

电子束分辨率

最佳工作距离下

0.6 nm @ 30 kV STEM

0.6 nm @ 30 kV STEM

0.6 nm @ 15 kV

0.7 nm @ 1 kV

1.0 nm @ 1 kV

1.0 nm @ 500 V (ICD)

0.9 nm @ 1 kV 减速模式*

在束流重合点

0.6 nm @ 15 kV

0.6 nm @ 15 kV

1.5 nm @ 1 kV 减速模式* 及 DBS*

1.2 nm @ 1 kV

电子束参数

电子束流范围

0.8 pA ~ 176 nA

0.8 pA ~ 100 nA

加速电压范围

200 V ~ 30 kV

350 V ~ 30 kV

着陆电压

20 eV ~ 30 keV

20 eV ~ 30 keV

最大水平视场宽度

2.3 mm @ 4 mm WD

2.3 mm @ 4 mm WD

探测器

Elstar 镜筒内 SE/BSE 探测器 (TLD-SE, TLD-BSE)

Elstar 镜筒内 SE/BSE 探测器 (ICD)*

Elstar 镜筒内 BSE 探测器 (MD)*

样品室内 Everhart-Thornley SE 探测器 (ETD)

红外相机

高性能离子转换和电子探测器 (SE)*

样品室内 Nav-Cam 导航相机*

可伸缩式低电压、高衬度、分割式固态背散射探测器 (DBS)*

可伸缩STEM 3+ 探测器*

电子束流测量

样品台和样品

样品台

高度灵活的五轴电动样品台

压电陶瓷驱动 XYR 轴的高精度五轴电动工作台

XY

110 mm

150 mm

Z

65 mm

10 mm

R

360° (连续)

360° (连续)

倾斜

-15° ~ +90°

-10° ~ +60°

最大样品高度

与优中心点间隔 85 mm

与优中心点间隔 55 mm

最大样品质量

样品台任意位置 500 g

样品台任意位置 500 g

 0° 倾斜时最大 5 kg

最大样品尺寸

直径 110 mm可沿样品台旋转时

直径 150 mm可沿样品台旋转时

优中心旋转和倾斜

优中心旋转和倾斜