TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪

MiniSIMS ToF是一款高性价比的TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪，具有高通量分析功能，可用于绝缘、导电表面的成像分析与化学成分分析。MiniSIMS ToF是研究表面化学的理想选择，适用于研发和工业质量控制应用。

TOF-SIMS飞行时间二次离子质谱仪主要通过离子源发射离子束溅射样品表面进行分析。离子束作为一次离子源，经过一次离子光学系统的聚焦和传输，到达样品表面。样品表面经过溅射，产生二次离子，系统将产生的二次离子提取和聚焦，并将二次离子送入离子飞行系统。在离子飞行系统中，不同种类的二次离子由于质荷比不同，飞行速度也不同，在飞行系统分离，通过检测这些离子进行相关分析。

MiniSIMS——屡获殊荣的台式二次离子质谱仪（SIMS）表面化学分析系统
赛恩斯（SAI）公司创新研发的MiniSIMS仪器荣获欧洲及美国多项殊荣，其中包括R&D100奖。该台式设备对实验室空间和配套设施要求极低，却可全面支持静态二次离子质谱（Static SIMS）、成像二次离子质谱（Imaging SIMS）以及动态（深度剖面）二次离子质谱（Dynamic SIMS）三种工作模式。结合其高通量分析能力，相较于传统的超高真空SIMS设备，单个样品的检测成本最*高可降低90%。凭借较低的单样品分析成本，该系统非常适用于对少量元素及有机表面成分进行常规检测，是工业质量控制应用的理想解决方案。

MiniSIMS 非常适合用于进行表面污染的常规中期检查，以便在进行后续昂贵的加工步骤之前，将有缺陷的物品撤出。例如，如果要对某个表面进行涂漆或与其他材料粘合，其清洁度对于涂层质量或粘合强度至关重要。在界面和表面研究中，分析不能被底层材料的信号所淹没，这就要求所用技术的采样深度足够小，以排除这些信号。二次离子质谱（SIMS）是所有表面分析技术中采样深度最小的技术之一，因此特别适合分析通常覆盖在预期纯净材料表面的极薄污染层。

SIMS 不仅能够识别无机和元素污染物，而且与许多其他分析技术不同，它还能对可能存在的任何有机污染物进行详细分析。

MiniSIMS ToF仪器特点：

• 全面支持静态二次离子质谱、成像二次离子质谱以及动态（深度剖面）二次离子质谱；
  

• 具备表面成像和深度剖析功能；

• 提供的SIMS材料谱库包含上千种材料的质谱数据，可识别未知的化合物和材料；

• 可同时分析所有元素及有机物，可消除有机物和元素干扰，使谱图更清晰，检测限更低，能更有效地分析材料样品。

• 专用数据处理软件允许分析数据和样品的化学构成信息进行全面的交互提取，其所有储存的数据都能用于溯源性分析。

MiniSIMS ToF应用领域:

• 表面涂层和处理
  

• 电子元件和半导体
  

• 电极与传感器
  

• 润滑剂
  

• 催化剂
  

• 粘合剂
  

• 薄膜等包装材料
  

• 腐蚀研究
  

• 大学教学与科研