1403nm MEMS VCSEL激光二极管
794.7nm单模VCSEL发射激光器
795nm TO46 封装带半导体制冷器的垂直腔面发射激光器(高功率版本)
1567nm VCSEL垂直腔面发射激光器 1.0mW
1550nm VCSEL垂直腔面发射激光器 (不带隔离器 1.0mW)










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已咨询218次VCSEL激光器
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7 引脚设计 非球面透镜帽 集成半导体制冷器(TEC),控制温度稳定性 输出功率 1.6 毫瓦 单模,可通过 C-L 波段 支持单模工作且可覆盖 C-L 波段
无金属部件 无源式 微型化 光纤读出 高抗冲击/振动性能 高灵敏度 宽频带 高损伤阈值
在1-5微米波段具有快速高灵敏度 为宽动态范围测量提供高信噪比性能 为中红外应用提供最快响应速度 高可靠性,使用寿命长 在1-5微米光谱范围内具备z佳综合性能
数据速率高达 200-800Gbps 底部发光平面结构 GSG 电极结构
φ50um 有效面积 高响应度 正面正极/负极焊盘
光谱范围:350nm—2400nm 波前畸变:典型值1/5 wave,更高精度可定制 波前均匀性:<1/40 wave RMS 空间频率:125 lp/mm —-3600lp/mm
玻璃或熔融石英材料的聚合物 与高效率激光系统相兼容 包装比接近100% AR涂层