「High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um」价格、参数、图片

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高增益，高达 50

φ30um 有效面积

低暗电流

顶照式平面结构

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新品推荐: High-Gain InGaAs SPAD Chip φ30um

高增益，高达 50 φ30um 有效面积低暗电流顶照式平面结构; OCT光栅 HD1145 l/mm@1310nm Ø25.4mm

光谱范围：350nm—2400nm 波前畸变：典型值1/5 wave,更高精度可定制波前均匀性：<1/40 wave RMS 空间频率：125 lp/mm —-3600lp/mm; 用于 C2H6 传感的 1680nm DFB 激光器

窄线宽（< 2MHz）优秀的波长控制和稳定性行业标准 14 针蝶形封装无跳模调谐；优秀的可靠性可提供客户定制波长; 2327nm DFB 激光二极管适用于一氧化碳检测

窄线宽 < 2MHz 优秀的波长控制和稳定性行业标准 14 针蝶形封装无跳模调谐优秀的可靠性可提供客户定制波长; 1403nm MEMS VCSEL激光二极管

7 引脚设计非球面透镜帽集成半导体制冷器（TEC），控制温度稳定性输出功率 1.6 毫瓦单模，可通过 C-L 波段支持单模工作且可覆盖 C-L 波段; 光纤电场传感器

无金属部件无源式微型化光纤读出高抗冲击/振动性能高灵敏度宽频带高损伤阈值; 高性能硒化铅(PbSe)单通道红外探测器(非制冷与制冷型)

在1-5微米波段具有快速高灵敏度为宽动态范围测量提供高信噪比性能为中红外应用提供最快响应速度高可靠性，使用寿命长在1-5微米光谱范围内具备z佳综合性能; 100Gbaud InGaAs PIN PD Chip φ10um

数据速率高达 200-800Gbps 底部发光平面结构 GSG 电极结构