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ALPHLAS UPD超快光电探测器 800-1700nm , InGaAs
- 品牌：上海筱晓
- 型号： UPD-35-IR2-FC
- 产地：黄浦区
- 供应商报价： 面议
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筱晓（上海）光子技术有限公司
更新时间：2024-04-23 09:11:37 -
企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
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- 详细介绍
总览ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和高的响应速度。
WM的阻抗匹配和先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供ZD的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。
技术参数产品型号
上升时间ps
带宽GHz
光谱范围nm
光敏面积直径μm/mm2
暗电流nA
输出接口
材料
UPD-15-IR2-FC
< 15
>25
800-1700
光纤, 9 µm
0.1
SMA
InGaAs
UPD-30-VSG-P
< 30
>10
320-900
200×200 / 0.04
0.1
SMA
GaAs
UPD-35-IR2-P
< 35
>10
800-1700
55 / 0.0024
0.3
SMA
InGaAs
UPD-35-IR2-D
< 35
>10
800-1700
55 / 0.0024
0.3
SMA
InGaAs
UPD-35-IR2-FR
< 35
>10
800-1700
55 / 0.0024
0.3
SMA
InGaAs
UPD-35-IR2-FC
< 35
>10
800-1700
光纤, 9 µm
0.3
SMA
InGaAs
UPD-35-UVIR-P
< 35
>10
350-1700
55 / 0.0024
0.3
SMA
InGaAs
UPD-35-UVIR-D
< 35
>10
350-1700
55 / 0.0024
0.3
SMA
InGaAs
UPD-40-VSI-P
< 40
>8.5
500-1690
200×200 / 0.04
5000
SMA
InGaAs
UPD-40-IR2-P
< 40
>8.5
800-1700
60 / 0.0028
0.5
SMA
InGaAs
UPD-40-IR2-D
< 40
>8.5
800-1700
60 / 0.0028
0.5
SMA
InGaAs
UPD-40-IR2-FR
< 40
>8.5
800-1700
60 / 0.0028
0.5
SMA
InGaAs
UPD-40-IR2-FC
< 40
>8.5
800-1700
光纤, 9 µm
0.5
SMA
InGaAs
UPD-40-UVIR-P
< 40
>8.5
350-1700
60 / 0.0028
0.5
SMA
InGaAs
UPD-40-UVIR-D
< 40
>8.5
350-1700
60 / 0.0028
0.5
SMA
InGaAs
UPD-50-SP
< 50
>7.0
320-1100
100 / 0.0079
0.001
SMA
Si
UPD-50-SD
< 50
>7.0
320-1100
100 / 0.0079
0.001
SMA
Si
UPD-50-UP
< 50
>7.0
170-1100
100 / 0.0079
0.001
SMA
Si
UPD-50-UD
< 50
>7.0
170-1100
100 / 0.0079
0.001
SMA
Si
UPD-70-IR2-P
< 70
>5.0
800-1700
80 / 0.005
0.8
SMA
InGaAs
UPD-70-IR2-D
< 70
>5.0
800-1700
80 / 0.005
0.8
SMA
InGaAs
UPD-70-IR2-FR
< 70
>5.0
800-1700
80 / 0.005
0.8
SMA
InGaAs
UPD-70-IR2-FC
< 70
>5.0
800-1700
光纤, 9 µm
0.8
SMA
InGaAs
UPD-70-UVIR-P
< 70
>5.0
350-1700
80 / 0.005
0.8
SMA
InGaAs
UPD-70-UVIR-D
< 70
>5.0
350-1700
80 / 0.005
0.8
SMA
InGaAs
UPD-100-IR1-P
< 100
>3.0
400-2000
80 / 0.005
700
SMA
Ge
UPD-200-SP
< 175
>2.0
320-1100
400 / 0.126
0.001
BNC
Si
UPD-200-SD
< 175
>2.0
320-1100
400 / 0.126
0.001
BNC
Si
UPD-200-UP
< 175
>2.0
170-1100
400 / 0.126
0.001
BNC
Si
UPD-200-UD
< 175
>2.0
170-1100
400 / 0.126
0.001
BNC
Si
UPD-300-SP
< 300
>1.0
320-1100
600 / 0.283
0.01
BNC
Si
UPD-300-SD
< 300
>1.0
320-1100
600 / 0.283
0.01
BNC
Si
UPD-300-UP
< 300
>1.0
170-1100
600 / 0.283
0.01
BNC
Si
UPD-300-UD
< 300
>1.0
170-1100
600 / 0.283
0.01
BNC
Si
UPD-500-SP
< 500
>0.6
320-1100
800 / 0.5
0.01
BNC
Si
UPD-500-SD
< 500
>0.6
320-1100
800 / 0.5
0.01
BNC
Si
UPD-500-UP
< 500
>0.6
170-1100
800 / 0.5
0.01
BNC
Si
UPD-500-UD
< 500
>0.6
170-1100
800 / 0.5
0.01
BNC
Si
UPD-3N-IR2-P
< 150
>0.4
800-2100
300 / 0.07
90
BNC
InGaAs
UPD-5N-IR2-P
< 200
>0.3
800-2600
300 / 0.07
2000
BNC
InGaAs
UPD-2M-IR2-P
< 75000
>0.004
900-1700
2000 / 3.14
5
BNC
InGaAs
UPD-2M-IR2-P-1TEC
< 75000
>0.004
900-1700
2000 / 3.14
0.3
BNC
InGaAs
几种典型产品光谱响应范围
产品特点● 超高速运行
● 上升时间：15 ps - 500ps
● 带宽：ZG达25 GHz
● 光谱范围：170 - 2600纳米
● 紧凑封装
● 电池或外部电源
● 自由空间光入射或FC/PC型
● 接头或光纤尾纤
通用参数单位（mm）
产品应用● 脉冲形式测量
● 脉冲宽度测量
● 精确的同步
● 模式变化监控
● 外差测量
- 产品优势
- 光谱相应范围 800-1700nm；感光材料 InGaAs；上升时间 <35ps；带宽 >10GHz；光纤 9 µm；暗电流 0.3nA；输出接口 SMA
