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1000A高电流脉冲电源

联系方式:陶女士027-87993690

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详细介绍

1000A高电流脉冲电源特点和优势:

50~500us的脉冲宽度连续可调;

15us的超快上升沿;

同步测量电压;

单台Z大可达1000A输出;

可极性反转;

0.1%测试精度;

hcpl主图.jpg

器件

测试项

肖特基二极管,整流桥堆

瞬时前向电压

IGBT器件

IGBT导通压降、键合线阻抗

IGBT模块,IPM模块

IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压、键合线阻抗

 

技术指标

项目

参数

电流脉宽

50μs~500μs

脉冲电流上升沿时间

典型时间15μs

输出脉冲电流

5~1000A量程,精度0.1%FS±1A

输出负载电压要求

<12V@1000A

DUT电压测量

2独立通道

远端测量,峰值电压测量(取样点可配置)

0~0.3V量程,精度0.1%±0.3mV

0~3V量程,精度0.1%±3mV

0~18V量程,精度0.1%±8mV

电流脉冲输出间隔时间

1秒

电流脉冲峰值功率

<12kW

多设备并联

支持多设备并联输出超大电流,如3000A

输出极性反转

支持

触发信号

支持trig in及trig out

通讯接口

RS232、LAN

输入电压

90~264VAC、50/60Hz

输入功率

<750W

尺寸

长516 x宽220 x高160mm


用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块


1000A高电流脉冲电源为脉冲恒流源,具有输出电流大(1000A)、脉冲边沿陡(15uS)、支持两路脉冲电压测量(峰值采样)、支持输出极性切换等特点。

设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合,使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣,欢迎随时联系我们!

产品全.jpg

产品优势
1000A高电流脉冲电源50~500us的脉冲宽度;15us的超快上升沿;同步测量电压;单台最大可达1000A输出;可极性反转;
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