第三代半导体材料分析高电流脉冲电源

第三代半导体材料分析高电流脉冲电源特点和优势：

50~500us的脉冲宽度连续可调；

15us的超快上升沿；

同步测量电压；

单台Z大可达1000A输出；

可极性反转；

0.1%测试精度；

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块

武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。