半导体器件I-V测试系统分立器件检测仪

半导体分立器件泛指二极管、三极管等具有单一功能的半导体元器件，用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等电路中，是构成电力电子变化装置的核心器件之一，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动化控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广泛的应用。半导体分立器件市场前景广阔，根据基材不同，半导体分立器件可分为不同类型，以硅基半导体为基材时，半导体分立器件主要包括二极管(Diode)、三极管(BJT)、晶闸管(SCR)、场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极性晶体管(IGBT)等产品，以宽禁带材料半导体为基材时，半导体分立器件主要包括：SiC,GaN半导体功率器件。从需求端来看，分立器件受益于新能源、汽车电子、5G通讯射频等市场的发展，具有较大的发展前景。半导体器件I-V测试系统分立器件检测仪认准生产厂家武汉普赛斯仪表，普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具，接线简单、方便操作。

分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应，通常分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字万用表、 电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，又占用过多测试台的空间；而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定性及更慢的总线传输速度等缺点。        实施半导体分立器件特性参数分析的Z佳工具之一是数字源表（SMU）。数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载，其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、  波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程        师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。

利用数字源表简化半导体分立器件特性参数测试

丰富的半导体IV特性测试行业经验；

全面的解决方案：二极管、MOSFET、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等；

提供适当的电缆辅件和测试夹具……

普赛斯S系列数字源表优点：

同时精确提供和测量电压和/或电流；

     同步测量，减少测试时间

提供和测量非常广的电流和电压；

       电压测试范围30uV-300V,电流测试范围1pA-1A

支持运行用户脚本程序，无需电脑控制，提高生产测试速度；

     序列测试，简化操作，降低成本

采用用户熟悉的图形界面，不管用户经验是否丰富，使用起来都非常简便；

     触屏操作

 
与传统电源比：

电源过零需要改变线连接方式；

     增加需反复开关机械开关，降低了设备可靠性

电压电流限制精度有限；

    电压1%，电流10mA

与电源结合万用表组合比：

万用表电源组合需要编程实现设备控制及同步；

    复杂连线、编程开发

电源限压限流性能差

    限压限流精度低，瞬态特性也无法保证

分立器件静态测试系统“双高”系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(Z大可扩展至10kV)

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

    高精度测量

    nA级漏电流,  μΩ级导通电阻

    0.1%精度测量

    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的一键测试

    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具

有关半导体器件I-V测试系统分立器件检测仪的更多信息，找普赛斯仪表专员为您解答，武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。