半导体分立器件静态测试系统

普赛斯半导体分立器件静态测试系统特点和优势：

单台Z大3500V输出；
单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；
15us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；

系统指标

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容     

续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
 
普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可晶准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，pA级电流晶准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。