半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调

普赛斯HCPL100型半导体测试高电流源50μs-500μs脉宽可调为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15us）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。

设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设备可以独立完成“电流-导通电压”扫描测试。

技术指标
电流脉宽  50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间    典型时间15us
输出脉冲电流        5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量    2独立通道
DUT电压测量   远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
DUT电压测量    0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT电压测量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT电压测量    0~18V量程，精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流，如3000A
支持输出极性反转
触发信号  支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压        90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸：长516x宽250x高160mm
 

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块

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