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具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有着越的测量效率与可靠性
普赛斯插卡式主机采用自定义框架，背板总线带宽高达3Gbps，支持16路触发总线，满足多卡设备高速率通信需求。普赛斯研发了丰富的可供用户选配的子卡，方便用户根据功能性能需求灵活配置不同的子卡。主机对外通信支持串口、以太网及GPIB
采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且蕞大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试
具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压（I-V）、电容-电压（C-V）以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有卓越的测量效率与可靠性
采用PXIe通信架构方案，支持板卡灵活扩展与高精度电学特性分析；支持单卡1200V大电压、单卡400A大电流输出，且最大可扩展至3500V、2000A；可与探针台(Prober)、分选机(Handler)等外设联机使用，应用于半导体产线KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分选测试。
不仅具备IV、CV、跨导等多元化的测试功能，还拥有高精度、宽测量范围、模块化设计以及便捷的升级扩展等显著优势。它能够全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求
武汉普赛斯P系列数字源表汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能，Z大脉冲输出电流达30A，Z大输出电压达300V，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中
PMST系列igbt静态测试机igbt检测仪采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设置不同的电压、电流等参数，以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出，并可生成I-V以及C-V特性曲线
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