二极管反向击穿电压测试设备

普赛斯二极管反向击穿电压测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以晶准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、n安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

设备特点和优势：
单台Z大3500V输出；
单台Z大1000输出，可并联后Z大6000A；
15us的超快电流上升沿；
同步测量；
国标全指标的自动化测试；

系统指标

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容      

续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等

二极管反向击穿电压测试设备认准普赛斯仪表，武汉普赛斯仪表有限公司，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来，普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表（SMU）的测试方案，以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力，联合更多行业客户，共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展。