HP8483A功率传感器100 kHz至2 GHz
主要特性与技术指标
75Ω输入阻抗功率传感器
出色的驻波比可降低失配的不确定性
校准,可追溯至美国国家标准与技术研究所(NIST)
可以兼容 EPM(新型 N1913A/ 14A、E4418B/ 19B)、EPM-P(E4416A/ 17A)和 P 系列(N1911A/ 12A)功率计、E1416A VXI、已停产的 70100A 和 43X
准确的平均功率测量范围:-30至+20 dBm
频率范围从100 kHz至2 GHz
热偶功率传感元件
描述
8483A 可以在 100 kHz ~ 2 GHz 的频率范围及 -30 ~ +20 dBm 的功率范围上测量平均功率(50 dB 动态范围)。
选件
8483A-030日本操作手册,打印
8483A-100平均功率,100kHz-2GHz,-30 dBm to 20dBm,N-type 75 ohm
8483A-910英语操作手册,打印
8483A-A6J ANSI Z540-1-1994校准 ansiz540-1-1994英语用户指南;
8483A-030日本操作手册,打印
8483A-100平均功率,100kHz-2GHz,-30 dBm to 20dBm,N-type 75 ohm
8483A-910英语操作手册,打印
8483A-A6J ANSI Z540-1-1994校准 ansiz540-1-1994英语用户指南;
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特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
规格 频率范围:40 MHz至40 GHz 测量参数:S11,S21,S12,S22,TDR等 动态范围:132dB 测量速度:80ms (201个点) 阻抗:50Ω 控制接口:USB 支持操作系统:Windows Linux
特性:1、电极内缩,可减小装配短路风险2、微波性能优良,适用频率 100kHz~40GHz3、表面金电极,适合于金丝键合应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF 旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、在 IC 封装中可减少引线长度并提高性能3、降低组装的复杂性和成本应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、适合于电路设计和调整应用:主要应用于匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
特性:1、体积小、容量大(容量为10nF~100nF)2、容量温度系数好(TCC为X7R、X7S)3、工作电压高(可达100V)应用 :主要应用于高电压的滤波、旁路等。
特性:在氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、微晶玻璃、石英等电路基片上沉积功能薄膜,将薄膜电感、薄膜电阻和分布参数电路元件集成在同一电路板,构成薄膜电路。所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好,工作可达40GHz,并且集成度高、尺寸小。产品包括薄膜电路、陶瓷支撑片短路片及热沉片、薄膜微带线、金锡预成型焊盘等。