HP8482H 功率传感器100 kHz至4.2 GHz
主要特性与技术指标
出色的驻波比可降低失配的不确定性
校准，可追溯至美国国家标准与技术研究所（NIST）
兼容EPM、EPM-P和P系列功率计、E1416A VXI以及停产的70100A和43X功率计
准确的平均功率测量范围从-10至+35 dBm
频率范围：100 kHz至4.2 GHz
热偶功率传感元件
本产品已于 2009 年 6 月 9 日停产，其下单截止日期为 2009 年 9 月 1日。寻找其替代产品请点击上面的替代产品链接。
功率传感器描述
SWR用于降低失配误差
准确校准和跟踪美国国家标准与技术研究所 (NIST)的能力
与EPM 、EPM-P和P系列功率计、E1416A VXI，中断的70100A以及 43X 功率计兼容
准确的平均功率测量范围从-10到+35 dBm
频率范围从100 kHz 到 4.2 GHz
热偶功率传感元件
SWR用于降低失配误差
准确校准和跟踪美国国家标准与技术研究所 (NIST)的能力
与EPM 、EPM-P和P系列功率计、E1416A VXI，中断的70100A以及 43X 功率计兼容
准确的平均功率测量范围从-10到+35 dBm
频率范围从100 kHz 到 4.2 GHz
热偶功率传感元件
报价：面议
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特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
规格 频率范围：40 MHz至40 GHz 测量参数：S11，S21，S12，S22，TDR等 动态范围：132dB 测量速度：80ms (201个点) 阻抗：50Ω 控制接口：USB 支持操作系统：Windows Linux
特性：1、电极内缩，可减小装配短路风险2、微波性能优良，适用频率 100kHz~40GHz3、表面金电极，适合于金丝键合应用：主要应用于微波集成电路（MIC）中，起隔直、RF 旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、在 IC 封装中可减少引线长度并提高性能3、降低组装的复杂性和成本应用：主要应用于微波集成电路（MIC）中，起隔直、RF旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性：1、安装方便2、适合于电路设计和调整应用：主要应用于匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
特性：1、体积小、容量大（容量为10nF~100nF）2、容量温度系数好（TCC为X7R、X7S）3、工作电压高（可达100V）应用 ：主要应用于高电压的滤波、旁路等。
特性：在氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、微晶玻璃、石英等电路基片上沉积功能薄膜，将薄膜电感、薄膜电阻和分布参数电路元件集成在同一电路板，构成薄膜电路。所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，工作可达40GHz，并且集成度高、尺寸小。产品包括薄膜电路、陶瓷支撑片短路片及热沉片、薄膜微带线、金锡预成型焊盘等。
营业执照已审核
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沪公网安备 31011502008050号