正电子湮没寿命谱仪 材料缺陷测量表征仪器

产品简介

      正电子湮没寿命谱仪测量系统用于金属、合金、半导体材料等的测量。该装置包括两个采集模块和两个电源模块。在寿命谱模式中，时间是用采样率3GS/s采集卡来采集的，它是采集来自两BaF2闪烁体的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽测量（CDB）的模式中，二维直方图是通过符合两个高纯锗半导体探测器的波峰值得到的。此外，该设备还可以用来测AMOC，这个寿命动量关联谱。

性能特点

1、组成部分

（1） 寿命谱模块
它是用于时间寿命谱测量，每个通道采用高速3 GHz ADC。
输入信号是BaF2 闪烁体探测器。
DSP内置了时间差分（CFD、TDC）功能。
（2）DSP多通道分析模块
它是一个用于伽马射谱分析模块的多路数字信号处理（DSP）模块。采集来自Ge半导体探测器的前置放大器的输出信号。
采样率100 MSPS，ADC大增益为8192。
（3）前置放大器电源模块
前置放大器电源用于给Ge半导体探测器供电。
通过D-sub 9针连接器供应±24 V（50 mA）和±12 V（50 mA）电源。
连接器的引脚排列符合NIM标准。
（4）高压电源模块
它是给两个BaF 2闪烁探测器和两个Ge半导体探测器的提供高压的高压电源。
CH1和CH2用于给Ge半导体探测器提供高压，大电压+5000V（或-5000V）。
CH3和CH4用于给BaF2闪烁探测器提供高压，大电压-4000V。
两者都使用SHV连接器。
（5）VME机箱

7槽VME机箱，100V/200V供电，额定功率300W

2、测量模式（包含5种测量模式）

（1）寿命谱模式

寿命谱模式(Lifetime )是通过同时采集两个BaF 2闪烁体探测器的波形，取两个波形上升时间之差，来得到正电子寿命谱的测量。

Upper：Black Start 1.274MeV@22Na,  Red Stop 511keV@22Na Lower：Blue Lifetime spectra,  Sample：polycarbonate

（2）波形模式

波形模式是采集来自两个BaF 2闪烁探体测器的波形。

（3）能量模式

能量模式是用于测量来自两个Ge半导体探测器的能谱。

（4）CDB（符合多普勒扩展谱）模式
CDB模式是对两个Ge半导体探测器的符合计数，取每个峰峰值，得到正电子湮没符合计数的多普勒展宽。

（5）AMOC(正电子寿命-动量关联谱）模式
AMOC模式是两个BaF 2闪烁体探测器和一个Ge半导体探测器的符合计数来测量正电子寿命 - 动量关联谱的模式。

技术参数

主要参数

●功能： Lifetime、CDB和AMOC

●ADC： 时间：2CH 3GSPS 8bit

            CDB ：2CH 100MSPS 14bit

●时间分辨： FWHM（半高宽） 192ps （511keV@22Na, BaF2 闪烁体） FWHM（半高宽） 160 – 190 ps (Silica)

●能量分辨： 1.23keV（512keV@106Ru） 1.69keV(1.33MeV@60Co)

●PMT高压 ： 2CH, -4000V 对于Ge(锗)半导体： 2CH, +5000V ※包括前放

●接口： Ethernet （TCP/IP）

●附件包括应用指导手册