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正电子湮没寿命谱仪 材料缺陷测量表征仪器
- 品牌:日本TechnoAP
- 型号: TechnoAP
- 产地:日本
- 供应商报价: ¥ 2000000
- 上海埃飞电子科技有限公司 更新时间:2022-01-12 11:04:59
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企业性质生产商
入驻年限第6年
营业执照已审核
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- 标签: 正电子湮没寿命谱仪 正电子寿命谱仪,正电子湮没谱仪
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- 详细介绍
产品简介
正电子湮没寿命谱仪测量系统用于金属、合金、半导体材料等的测量。该装置包括两个采集模块和两个电源模块。在寿命谱模式中,时间是用采样率3GS/s采集卡来采集的,它是采集来自两BaF2闪烁体的高速脉冲信号。在符合多普勒展宽测量(CDB)的模式中,二维直方图是通过符合两个高纯锗半导体探测器的波峰值得到的。此外,该设备还可以用来测AMOC,这个寿命动量关联谱。
性能特点
1、组成部分
(1) 寿命谱模块
它是用于时间寿命谱测量,每个通道采用高速3 GHz ADC。
输入信号是BaF2 闪烁体探测器。
DSP内置了时间差分(CFD、TDC)功能。
(2)DSP多通道分析模块
它是一个用于伽马射谱分析模块的多路数字信号处理(DSP)模块。采集来自Ge半导体探测器的前置放大器的输出信号。
采样率100 MSPS,ADC大增益为8192。
(3)前置放大器电源模块
前置放大器电源用于给Ge半导体探测器供电。
通过D-sub 9针连接器供应±24 V(50 mA)和±12 V(50 mA)电源。
连接器的引脚排列符合NIM标准。
(4)高压电源模块
它是给两个BaF 2闪烁探测器和两个Ge半导体探测器的提供高压的高压电源。
CH1和CH2用于给Ge半导体探测器提供高压,大电压+5000V(或-5000V)。
CH3和CH4用于给BaF2闪烁探测器提供高压,大电压-4000V。
两者都使用SHV连接器。
(5)VME机箱7槽VME机箱,100V/200V供电,额定功率300W
2、测量模式(包含5种测量模式)
(1)寿命谱模式
寿命谱模式(Lifetime )是通过同时采集两个BaF 2闪烁体探测器的波形,取两个波形上升时间之差,来得到正电子寿命谱的测量。
Upper:Black Start 1.274MeV@22Na, Red Stop 511keV@22Na Lower:Blue Lifetime spectra, Sample:polycarbonate
(2)波形模式
波形模式是采集来自两个BaF 2闪烁探体测器的波形。
(3)能量模式
能量模式是用于测量来自两个Ge半导体探测器的能谱。
(4)CDB(符合多普勒扩展谱)模式
CDB模式是对两个Ge半导体探测器的符合计数,取每个峰峰值,得到正电子湮没符合计数的多普勒展宽。(5)AMOC(正电子寿命-动量关联谱)模式
AMOC模式是两个BaF 2闪烁体探测器和一个Ge半导体探测器的符合计数来测量正电子寿命 - 动量关联谱的模式。技术参数
主要参数
●功能: Lifetime、CDB和AMOC
●ADC: 时间:2CH 3GSPS 8bit
CDB :2CH 100MSPS 14bit
●时间分辨: FWHM(半高宽) 192ps (511keV@22Na, BaF2 闪烁体) FWHM(半高宽) 160 – 190 ps (Silica)
●能量分辨: 1.23keV(512keV@106Ru) 1.69keV(1.33MeV@60Co)
●PMT高压 : 2CH, -4000V 对于Ge(锗)半导体: 2CH, +5000V ※包括前放
●接口: Ethernet (TCP/IP)
●附件包括应用指导手册