正电子湮没寿命谱仪

正电子湮没寿命谱仪：又名高分子材料分析仪

1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后，揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作，同时，也开展了许多应用研究工作，形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。
随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解，使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用，并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时，随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展，使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。
实验用放射源²²Na，其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时（仅迟3 ps左右）还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此，测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子（0.511 MeV）之间的时间间隔，就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件（~10⁶个）进行统计，就可得到一个正电子湮没寿命谱。


系统集成测试报告参数：
系统时间分辨率（用50μCi ⁶⁰Co源测量）：
保证值：≤ 200ps；
典型值：≤ 180ps